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申请/专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
摘要：本申请实施例提供了一种双向低容NPN特性瞬态电压抑制器件，本申请在衬底上生长外延层，然后再在外延层上注入阱区，最后再在阱区中形成第一注入区和第二注入区，再远离第一注入区一侧设置第一深沟槽和在靠近第二注入区一侧设置第二深沟槽，所述第一深沟槽和第二深沟槽的底部均延申至所述衬底中，所述第一深沟槽和第二深沟槽中均填充有绝缘材料；最终形成纵向由上往下的SCR结构和从下往上的NPN结构，本申请提供的瞬态电压抑制器件可以同时满足电容小，钳位电压低但不存在闩锁，击穿电压和钳位电压好控制的要求。
主权项：1.一种双向低容NPN特性瞬态电压抑制器件，其特征在于，包括第一注入区、第二注入区、阱区、第一深沟槽和第二深沟槽；所述第一注入区和第二注入区相邻设置，只有所述第二注入区设置在阱区中，所述第一注入区和阱区设置在外延层中，所述外延层设置在衬底上表面；所述第一深沟槽间隔设置在靠近所述第一注入区的一侧，所述第二深沟槽间隔设置在靠近所述第二注入区的一侧，且所述第一深沟槽和第二深沟槽的底部延申至所述衬底中，所述第一深沟槽和第二深沟槽中均填充有绝缘材料；其中，所述第一注入区、阱区和衬底均为第一掺杂类型，所述第二注入区和外延层均为第二掺杂类型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海韦尔半导体股份有限公司 一种双向低容NPN特性瞬态电压抑制器件及封装结构
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