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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供一种瞬态电压抑制器及其制备方法，该瞬态电压抑制器包括衬底、第一和二阱区、第一和二掺杂区、第三和四掺杂区及第一和二电极，其中，第一阱区位于衬底上表层；第二阱区位于衬底下表层且与第一阱区间隔预设距离；第一和二掺杂区间隔设置于第一阱区上表层；第二掺杂区位于第一阱区上表层且与第一掺杂区间隔预设距离；第三掺杂区位于第二阱区下表层；第四掺杂区位于第二阱区下表层且与第三掺杂区间隔预设距离；第一电极与第一和二掺杂区电连接；第二电极与第三和四掺杂区电连接。本发明通过将第一阱区与第二阱区分别设置与衬底的上表层和下表层，形成纵向结构，提升了器件的抗静电及抗浪涌能力，降低了器件的制作难度。
主权项：1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：第一导电类型衬底；第一导电类型第一阱区，位于所述衬底的上表层；第二导电类型第二阱区，位于所述衬底的下表层且与所述第一阱区间隔预设距离；第一导电类型第一掺杂区，位于所述第一阱区的上表层；第二导电类型第二掺杂区，位于所述第一阱区的上表层且与所述第一掺杂区间隔预设距离；第一导电类型第三掺杂区，位于所述第二阱区的下表层；第二导电类型第四掺杂区，位于所述第二阱区的下表层且与所述第三掺杂区间隔预设距离；第一电极，与所述第一掺杂区及所述第二掺杂区电连接；第二电极，与所述第三掺杂区及所述第四掺杂区电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 瞬态电压抑制器及其制备方法
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