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摘要：本发明公开了一种耗尽型场效应晶体管器件的制备方法，属于半导体保护器件领域，包括：步骤S1，在衬底上形成第一外延层；步骤S2，生长氧化层，并于第一外延层中形成至少两个柱区；步骤S3，形成第二外延层；步骤S4，形成至少两个阱区；步骤S5，形成深槽；于深槽内及深槽的上表面形成栅氧化层，于深槽和阱区之间形成沟道，于栅氧化层的上表面形成多晶硅层；步骤S6，形成依次相连接的第一N型注入区、第一P型注入区和第二N型注入区；步骤S7，形成一介质层，并形成对应的接触孔；步骤S8，淀积源极金属、栅极金属；步骤S9，进行研磨减薄处理，并形成漏极金属。本技术方案的有益效果在于：导通电阻低、关断时耐压高、漏电流小。
主权项：1.一种耗尽型场效应晶体管器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一衬底，于所述衬底的上表面生长形成一第一外延层，所述第一外延层的导电类型和所述衬底的导电类型相同；步骤S2，于所述第一外延层的上表面生长形成一氧化层，并于所述第一外延层中形成间隔排列的至少两个柱区，且每个所述柱区纵向的自所述氧化层的上表面向下延伸至所述第一外延层中，所述柱区的导电类型和所述第一外延层的导电类型不同；步骤S3，于所述氧化层的上表面形成一第二外延层；步骤S4，于所述第二外延层中形成至少两个阱区；步骤S5，于所述第二外延层中形成深槽，每个所述深槽的一侧与对应的所述阱区相连接，且纵向的自所述第二外延层的上表面贯穿所述第二外延层至对应的所述柱区中；于所述深槽内及所述深槽的上表面形成栅氧化层，于所述深槽和所述阱区之间形成一沟道，于所述栅氧化层的上表面形成多晶硅层；步骤S6，形成依次相连接的第一N型注入区、第一P型注入区和第二N型注入区，所述第一N型注入区、所述和第二N型注入区分别与对应一侧的所述深槽相连接；步骤S7，形成一介质层，并于所述多晶硅层以及所述第一N型注入区、所述第一P型注入区和所述第二N型注入区的上方分别形成对应的接触孔；步骤S8，于所述接触孔中进行金属淀积，形成源极金属、栅极金属；步骤S9，对所述衬底的下表面进行研磨减薄处理，并形成漏极金属。
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百度查询： 上海维安半导体有限公司 一种耗尽型场效应晶体管器件及其制备方法
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