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申请/专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司

摘要：本发明公开一种半桥常开耗尽型开关器件的直驱电路，涉及电子技术领域，该直驱电路包括：驱动电路与半桥功率桥臂连接；第一耗尽型开关器件的源极与第二耗尽型开关器件的漏极连接，第二耗尽型开关器件的源极与N型MOSFET器件的漏极连接，第二耗尽型开关器件的栅极与第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与N型MOSFET器件的源极连接；或者，第一耗尽型开关器件的源极与N型MOSFET器件的漏极连接，N型MOSFET器件的源极与第二耗尽型开关器件的漏极连接，第一耗尽型开关器件的栅极与第一二极管的正极连接，第一二极管的负极与N型MOSFET器件的源极连接。本发明能够提高驱动电路的稳定性和可靠性。

主权项：1.一种半桥常开耗尽型开关器件的直驱电路，其特征在于，所述直驱电路包括：驱动电路和半桥功率桥臂；所述驱动电路与所述半桥功率桥臂连接；所述驱动电路用于驱动所述半桥功率桥臂工作；所述半桥功率桥臂包括第一耗尽型开关器件、第二耗尽型开关器件、N型MOSFET器件和第一二极管；所述第一耗尽型开关器件的源极与所述第二耗尽型开关器件的漏极连接，所述第二耗尽型开关器件的源极与所述N型MOSFET器件的漏极连接，所述第二耗尽型开关器件的栅极与所述第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与所述N型MOSFET器件的源极连接；或者，所述第一耗尽型开关器件的源极与所述N型MOSFET器件的漏极连接，所述N型MOSFET器件的源极与所述第二耗尽型开关器件的漏极连接，所述第一耗尽型开关器件的栅极与所述第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极与所述N型MOSFET器件的源极连接；所述第一耗尽型开关器件、所述第二耗尽型开关器件和所述N型MOSFET器件的栅极均与所述驱动电路连接；所述驱动电路包括耗尽型开关器件驱动电路和控制电路；所述耗尽型开关器件驱动电路用于驱动所述第一耗尽型开关器件和所述第二耗尽型开关器件；所述控制电路用于控制所述N型MOSFET器件的开通和关断；所述耗尽型开关器件驱动电路包括第一耗尽型开关器件驱动电路和第二耗尽型开关器件驱动电路；所述第一耗尽型开关器件驱动电路用于驱动第一耗尽型开关器件；所述第二耗尽型开关器件驱动电路用于驱动所述第二耗尽型开关器件；所述第一耗尽型开关器件驱动电路包括第一驱动芯片、第一P型MOSFET器件和第六电阻；所述第一驱动芯片的使能输出端与所述第一耗尽型开关器件的栅极连接；所述第一驱动芯片的控制信号输出端分别与所述第一P型MOSFET器件的栅极和所述第六电阻的一端连接；所述第一P型MOSFET器件的源极与所述第六电阻的另一端连接后与所述第一耗尽型开关器件的源极连接；所述第一P型MOSFET器件的漏极与所述第一驱动芯片的供电电压端连接；所述第二耗尽型开关器件驱动电路包括第二驱动芯片、第二P型MOSFET器件和第七电阻；所述第二驱动芯片的使能输出端与所述第二耗尽型开关器件的栅极连接；所述第二驱动芯片的控制信号输出端分别与所述第二P型MOSFET器件的栅极和所述第七电阻的一端连接；所述第二P型MOSFET器件的漏极与所述第二耗尽型开关器件的源极连接；所述第七电阻的另一端与所述第二P型MOSFET器件的源极连接后与所述第二驱动芯片的供电电压端连接；所述控制电路包括控制芯片、第八电阻、第九电阻和第三P型MOSFET器件；所述控制芯片的第一控制信号输出端分别与所述第八电阻的一端和所述第三P型MOSFET器件的栅极连接；所述第八电阻的另一端分别与所述控制芯片的供电电压端和所述第三P型MOSFET器件的源极连接；所述第三P型MOSFET器件的漏极分别与所述第九电阻的一端和所述N型MOSFET器件的栅极连接；所述第九电阻的另一端与所述N型MOSFET器件的源极连接。

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