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摘要：本发明公开一种耗尽型功率器件直驱电路及其驱动控制方法，涉及半导体器件领域；该电路包括：驱动控制单元、带二极管的共源共栅GaN器件、第一P型SiMos管和第二P型SiMos管；驱动控制单元分别与第一P型SiMos管、第二P型SiMos管和带二极管的共源共栅GaN器件连接；带二极管的共源共栅GaN器件包括：耗尽型GaN、二极管和SiMos管；第一P型SiMos管的漏极与SiMos管的栅极连接；第二P型SiMos管的源极与耗尽型GaN的源极连接；本发明能够实现耗尽型功率器件的直接驱动，且开关速度可控，增强实用性和灵活性。

主权项：1.一种耗尽型功率器件直驱电路，其特征在于，包括：驱动控制单元、带二极管的共源共栅GaN器件、第一P型SiMos管和第二P型SiMos管；所述驱动控制单元分别与所述第一P型SiMos管、第二P型SiMos管和带二极管的共源共栅GaN器件连接；带二极管的共源共栅GaN器件包括：二极管D2和共源共栅GaN器件；二极管D2与共源共栅GaN器件连接；所述共源共栅GaN器件包括：耗尽型GaN和SiMos管；所述第一P型SiMos管的漏极与所述SiMos管的栅极连接；所述第二P型SiMos管的源极与所述耗尽型GaN的源极连接；所述驱动控制单元包括：第一供电电压模块、第二供电电压模块、驱动模块和控制模块；所述驱动模块包括驱动电路子模块；所述驱动电路子模块包括：第一Vcc1引脚、第一OUT引脚、第一EN1引脚和第一GND1引脚；所述控制模块包括控制电路子模块；所述控制电路子模块包括：第一Vcc2引脚、第一EN2引脚和第一GND2引脚；所述第一Vcc1引脚分别与所述第一供电电压模块和所述第二P型SiMos管的漏极连接；所述第一OUT引脚与所述耗尽型GaN的栅极连接；所述第一EN1引脚与所述第二P型SiMos管的栅极连接；所述第二P型SiMos管的源极和所述耗尽型GaN的源极连接；所述第一GND1引脚接地；所述第一Vcc2引脚分别与所述第二供电电压模块和所述第一P型SiMos管的源极连接；所述第一EN2引脚与所述第一P型SiMos管的栅极连接；所述第一GND2引脚接地；所述第一GND2引脚还与所述SiMos管的源极连接。

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