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摘要：本发明公开了一种垂直沟道氧化物半导体场效应晶体管及制备方法，属于信息材料与器件技术领域。本发明氧化物半导体场效应晶体管采用沟槽状的氧化物半导体沟道层，在沟槽内再填充氧化物半导体材料，氧化物半导体填充层材料的氧空位浓度比氧化物半导体沟道层材料的氧空位浓度小；通过采用低载流子浓度的氧化物半导体作为内部填充材料，可以有效提升垂直沟道氧化物半导体场效应晶体管的阈值调控能力，并避免界面损伤和非必要掺杂的影响，实现可精准调控阈值的垂直沟道氧化物半导体场效应晶体管。
主权项：1.一种氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括衬底、源端金属电极层、栅金属电极层、氧化物半导体沟道层和漏端金属电极层，所述栅金属电极层位于所述源端金属电极层和氧化物半导体沟道层中间，所述栅金属电极层与所述源端金属电极层和氧化物半导体沟道层之间设有绝缘层，所述氧化物半导体沟道层为沟槽状，所述氧化物半导体沟道层的沟槽底部与所述源端金属电极层接触，所述氧化物半导体沟道层的沟槽外设有栅介质层，该栅介质层位于所述栅金属电极层与所述氧化物半导体沟道层之间，在所述氧化物半导体沟道层的沟槽内设有氧化物半导体填充层，该氧化物半导体填充层材料的氧空位浓度比氧化物半导体沟道层材料的氧空位浓度小。
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百度查询： 北京大学 一种垂直沟道氧化物半导体场效应晶体管及制备方法
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