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摘要：本发明公开了一种鳍式隧穿场效应晶体管结构，包括：鳍，所述鳍的两端分设有源和漏，位于所述源和漏之间的所述鳍的中部设有沟道；浅沟槽隔离，包括第一浅沟槽隔离和第二浅沟槽隔离，其分设于所述鳍的两侧；栅电极，包括第一栅电极和第二栅电极，其分设于所述鳍的两侧，并分别位于所述第一浅沟槽隔离和第二浅沟槽隔离之上；其中，所述第一栅电极用于实现对阈值电压大小的调控，所述第二栅电极用于实现对隧穿电流大小的调控。本发明将TFET和FinFET各自具有的优势相结合，可以在一个器件中实现不同的阈值电压。
主权项：1.一种鳍式隧穿场效应晶体管结构，其特征在于，包括：鳍，所述鳍的两端分设有源和漏，位于所述源和漏之间的所述鳍的中部设有沟道；浅沟槽隔离，包括第一浅沟槽隔离和第二浅沟槽隔离，其分设于所述鳍的两侧；栅电极，包括第一栅电极和第二栅电极，其分设于所述鳍的两侧，并分别位于所述第一浅沟槽隔离和第二浅沟槽隔离之上；其中，所述第一栅电极用于实现对阈值电压大小的调控，所述第二栅电极不高于所述沟道，并覆盖所述源的至少部分侧面，用于实现对隧穿电流大小的调控。
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百度查询： 上海集成电路研发中心有限公司 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 一种鳍式隧穿场效应晶体管结构
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