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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明提出了一种具有自旋极化空穴隧穿层的半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层和自旋极化空穴隧穿层，所述上波导层和上限制层之间设置有自旋极化空穴隧穿层，所述自旋极化空穴隧穿层具有电子亲和能分布特性，提升空穴注入有源层的效率，增强自旋极化空穴的隧穿通道，提升有源层电子空穴的注入均匀性，从而增强激光元件受激辐射效率和峰值增益均匀性，降低激光元件的激发阈值，提升激光元件的模式增益、光功率和斜率效率。
主权项：1.一种具有自旋极化空穴隧穿层的半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述上波导层和上限制层之间设置有自旋极化空穴隧穿层，所述自旋极化空穴隧穿层具有电子亲和能分布特性；所述自旋极化空穴隧穿层的电子亲和能具有函数y1＝excosx第一二象限曲线分布，其中，x为自旋极化空穴隧穿层往上限制层方向的深度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种具有自旋极化空穴隧穿层的半导体激光元件
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