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一种基于环漏区双金属栅隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法 

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摘要:本发明公开了一种基于环漏区双金属栅隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法,该生物传感器包括三个PIN结构,三个PIN结构包括一个共用的漏区,漏区的顶部和水平两侧依次均设有沟道和源区;位于漏区顶部的沟道的水平两侧均设有L型纳米生物分子探测腔和栅介质层,纳米生物分子探测腔的水平部分覆盖在位于漏区水平两侧的沟道上,栅介质层覆盖在纳米生物分子探测腔的垂直部分上;纳米生物分子探测腔水平部分的顶部依次覆盖有水平相邻堆叠的第一金属栅和第二金属栅,第一金属栅位于第二金属栅和栅介质层之间;漏区的底部覆盖有漏极,位于漏区上方的源区的顶部覆盖有源极;本发明的生物传感器具有较高的灵敏度,且制备工艺简单。

主权项:1.一种基于环漏区双金属栅隧穿场效应晶体管的生物传感器,其特征在于,包括三个PIN结构,所述三个PIN结构包括一个共用的漏区1,漏区1的顶部和水平两侧依次均设置有沟道2和源区3;位于漏区1顶部的沟道2的水平两侧均设置有L型纳米生物分子探测腔7和栅介质层6,纳米生物分子探测腔7的水平部分覆盖在位于漏区1水平两侧的沟道2上,栅介质层6覆盖在纳米生物分子探测腔7的垂直部分上;纳米生物分子探测腔7水平部分的顶部依次覆盖有水平相邻堆叠的第一金属栅4和第二金属栅5,第一金属栅4位于第二金属栅5和栅介质层6之间;漏区1的底部覆盖有漏极8,位于漏区1上方的源区3的顶部覆盖有源极9。

全文数据:

权利要求:

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