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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：一种垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管及制备方法，该垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管包括：本征金刚石衬底；P+型漏区，材料为P+型掺杂金刚石，形成于本征金刚石衬底上；P型漂移区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P+型漏区上；漏电极，形成于P+型漏区上且位于P型漂移区两侧的位置；P型沟道区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P型漂移区上；P+型源区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P型沟道区上；源电极，形成于P+型源区上；栅介质，形成于P型漂移区、P型沟道区和P+型源区的外侧，并且与P型漂移区、P型沟道区和P+型源区相接触；以及栅电极，形成于栅介质上。
主权项：1.一种垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管，包括：本征金刚石衬底；P+型漏区，材料为P+型掺杂金刚石，形成于所述本征金刚石衬底上；P型漂移区，材料为P型掺杂金刚石，形成于所述P+型漏区上；漏电极，形成于所述P+型漏区上且位于所述P型漂移区两侧的位置；P型沟道区，材料为P型掺杂金刚石，形成于所述P型漂移区上；P+型源区，材料为P+型掺杂金刚石，形成于所述P型沟道区上；源电极，形成于所述P+型源区上；栅介质，形成于所述P型漂移区、所述P型沟道区和所述P+型源区的外侧，并且与所述P型漂移区、所述P型沟道区和所述P+型源区相接触；以及栅电极，形成于所述栅介质上；所述栅介质延伸至所述P型沟道区上方的部分区域且与所述P型沟道区相接触以形成平滑表面，所述源电极自所述P+型源区延伸至所述栅介质上方，即所述栅介质在所述P+型源区两侧嵌入所述源电极、所述P+型源区和所述P型沟道区形成的凹槽中，使得所述源电极在顶部同时平缓覆盖并接触所述栅介质和所述P+型源区。
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