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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：提供了一种半导体器件。该半导体器件包括在垂直于该半导体器件的衬底的竖直方向上交替布置的字线层和绝缘层的堆叠体。该堆叠体包括第一阵列区域和相邻的第一阶梯区域。该半导体器件包括虚设沟道结构，该虚设沟道结构在竖直方向上延伸穿过堆叠体的第一阶梯区域中的字线层和绝缘层。字线层中的至少一个的位置比与字线层中的该至少一个相邻的绝缘层更加远离虚设沟道结构的中心轴。
主权项：1.一种半导体器件，包括：在垂直于所述半导体器件的衬底的竖直方向上交替布置的字线层和绝缘层的堆叠体，所述堆叠体包括第一阵列区域和相邻的第一阶梯区域；以及虚设沟道结构，所述虚设沟道结构在所述竖直方向上延伸穿过所述堆叠体的所述第一阶梯区域中的所述字线层和所述绝缘层，其中，所述字线层中的至少一个的位置比与所述字线层中的所述至少一个相邻的绝缘层更加远离所述虚设沟道结构的中心轴，并且其中，所述字线层中的所述至少一个是在所述虚设沟道结构形成之后形成的，使得在形成所述字线层期间防止在所述第一阶梯区域中发生塌陷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 具有新颖虚设沟道结构的三维NAND存储器器件
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