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申请/专利权人：宜确半导体(苏州)有限公司
摘要：本实用新型提供了一种三维半导体结构、三维电容器及电子装置，尤其涉及一种三维电容结构及具有三维电容的电子装置，所述的三维半导体结构，包括以下结构：第一导电层；位于所述第一导电层表面且与所述第一导电层至少部分保形接触的介质层；位于所述介质层表面且与所述介质层至少部分保形接触的第二导电层；所述第一导电层包括网格状导电层，所述第一导电层具有多个凸起结构。本实用新型的三维电容由于具有很好的导电和散热性能，在高功率和高温应用场景中具有优势，可获得更大的功率耐受能力和更宽的工作温度范围。
主权项：1.一种三维半导体结构，包括以下结构：第一导电层；位于所述第一导电层表面且与所述第一导电层至少部分保形接触的介质层；位于所述介质层表面且与所述介质层至少部分保形接触的第二导电层；其特征在于，所述第一导电层包括网格状导电层，所述第一导电层具有多个凸起结构。
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