买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:深圳长晶微电子有限公司
摘要:本发明公开了一种非对称台面的双向TVS器件,包括基板、分别设于基板上表面和下表面的第一掺杂层和第二掺杂层、设于第一掺杂层上的第一电极及设于第二掺杂层上的第二电极,在基板的上部形成第一沟槽,在基板的下部边缘形成第二沟槽,第一沟槽的上表面设有第一钝化层,第二沟槽的下表面设有第二钝化层。第一沟槽的截面呈“U”型,其一侧靠近基板边缘,其另一侧延伸至第一掺杂层的边缘;第二沟槽的截面呈“C”型,其远离基板边缘的一侧延伸至第二掺杂层的边缘。本发明还公开了一种非对称台面的双向TVS器件的制作方法。本发明中非对称的第一沟槽和第二沟槽结构,不仅具有良好的体内阻断能力,还可保证第一PN结和第二PN结的耐压一致性。
主权项:1.一种非对称台面的双向TVS器件,其特征在于,该器件包括基板、分别设于所述基板上表面和下表面的第一掺杂层和第二掺杂层、设于所述第一掺杂层上表面的第一电极及设于所述第二掺杂层下表面的第二电极,在所述基板的上部形成两个第一沟槽,且两个所述第一沟槽分别设于所述基板上部两端;在所述基板的下部边缘形成第二沟槽,且两个所述第二沟槽分别设于所述基板下部两端边缘;所述第一沟槽的上表面设有第一钝化层,所述第二沟槽的下表面设有第二钝化层;所述第一沟槽的截面呈“U”型,其一侧靠近所述基板边缘,其另一侧延伸至所述第一掺杂层的边缘;所述第二沟槽的截面呈“C”型,其远离所述基板边缘的一侧延伸至第二掺杂层的边缘。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 深圳长晶微电子有限公司 非对称台面的双向TVS器件及其制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。