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申请/专利权人：无锡和达创芯科技有限公司
摘要：本实用新型提供了一种低钳位电压单向TVS器件，旨在解决由于工艺制程，使得芯片静电承受能力下降导致的电路保护问题，即目前TVS器件对电路保护功能还需进一步提高的问题。本实用新型主要包括N型衬底层、N型外延层以及P型外延层，P型外延层上设置有N型超浅结，自P型外延层贯穿至N型衬底层内部设置有深沟槽，本实用新型通过增加一层筛状N型超浅结，来形成一种类NPN的结构NP短路，在大电流下NP会导通，大电流垂直留过NP结，使得电压瞬间下降，从而大大提高器件对电路的保护能力，同时也降低了保护时的功耗。
主权项：1.一种低钳位电压单向TVS器件，其特征在于：包括从下至上叠加设置的N型衬底层（1）、N型外延层（2）以及P型外延层（3），所述P型外延层（3）上设置有多个N型超浅结（4），所述P型外延层（3）贯穿至N型衬底层（1）内部设置有多个深沟槽（5）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡和达创芯科技有限公司 一种低钳位电压单向TVS器件
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