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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司

摘要：本发明公开了一种静态噪声容限测试模块、测试结构及测试方法。所述静态噪声容限测试模块通过基于SRAM存储单元版图、增设多晶硅引线，采用单层金属层走线即可制成静态噪声容限测试模块，多晶硅引线的引入能够方便上层金属走线的布线以避免发生单层金属的桥接现象，在单层金属层工艺完成后即可测试，可以在研发阶段极大缩短学习周期，且可测读和写状态的静态噪声容限；通过字线、供电电源线、以及N阱区共用焊垫的方式，减少测试所需焊垫的数量，避免因部分机台型号的探针数量较少，导致不可测的情况。

主权项：1.一种静态噪声容限测试模块，其特征在于，包括：衬底；有源层，形成于所述衬底上方，所述有源层包括沿第一方向间隔设置的N阱区、有源区组、以及P阱区，所述有源区组包括沿所述第一方向延伸、沿第二方向间隔设置的第一有源区、第二有源区、第三有源区以及第四有源区；多晶硅层，形成于所述有源区层上方，所述多晶硅层包括沿所述第二方向延伸、沿所述第一方向间隔设置的第一栅极以及第二栅极，所述第一栅极电连接至所述第三有源区、且所述第一栅极在所述衬底上的正投影与所述第一有源区、所述第二有源区在所述衬底上的正投影均相交，所述第二栅极电连接至所述第二有源区、且所述第二栅极在所述衬底上的正投影与所述第三有源区、所述第四有源区在所述衬底上的正投影均相交，所述多晶硅层还包括沿所述第二方向延伸的第三栅极以及第四栅极，所述第三栅极沿所述第二方向与所述第一栅极间隔设置、且所述第三栅极在所述衬底上的正投影与所述第四有源区在所述衬底上的正投影相交，所述第四栅极沿所述第二方向与所述第二栅极间隔设置、且所述第四栅极在所述衬底上的正投影与所述第一有源区在所述衬底上的正投影相交；单层金属层，形成于所述多晶硅层上方，所述金属层包括电连接至所述第一有源区、所述第二有源区以及所述第二栅极的第一金属走线，电连接至所述第三有源区、所述第四有源区以及所述第一栅极的第二金属走线，电连接至所述第二有源区以及所述N阱区的第一供电电源线，电连接至所述第四有源区以及所述P阱区的第一公共电源线，电连接至所述第一有源区的位线，电连接至所述第四有源区的互补位线；所述多晶硅层还包括电连接至所述第一供电电源线的第一多晶硅引线，以及电连接至所述位线的第二多晶硅引线；测试焊垫组，所述测试焊垫组包括与所述第一公共电源线电连接的第一焊垫，与所述第一多晶硅引线电连接的第二焊垫，与所述第二多晶硅引线电连接的第三焊垫，与所述第一金属走线电连接的第四焊垫，与所述第二金属走线电连接的第五焊垫，以及与所述互补位线电连接的第六焊垫；所述金属层还包括电连接至所述第三栅极以及所述N阱区的第三金属走线作为第一字线、所述多晶硅层还包括电连接至所述互补位线的第三多晶硅引线、所述第六焊垫通过引出金属走线电连接至所述第三多晶硅引线进而与所述互补位线电连接，或，所述多晶硅层还包括自所述第三栅极引出的第四多晶硅引线作为第一字线、所述金属层还包括电连接至所述第四多晶硅引线以及所述N阱区的第四金属走线、所述第六焊垫与所述互补位线之间通过引出金属走线电连接。

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