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申请/专利权人：朗姆研究公司
摘要：在通过添加含卤素化合物如烷基卤化物而受到调节的沉积处理中，将金属膜如钼膜沉积至具有一或多个凹陷特征的半导体衬底中。在某些实施方案中，在衬底与含金属前体和还原剂接触之前，以含卤素化合物预处理衬底。在某些实施方案中，进行预处理以使含卤素化合物修饰衬底场区域中的表面及凹陷特征的开口附近的表面的程度大于修饰凹陷特征的底部的程度，其中修饰衬底能抑制金属沉积。因此，可获得具有改进的台阶覆盖的金属沉积。在某些实施方案中，使用通过含卤素化合物调节的沉积以在凹陷特征中达到由底部向上的金属生长。
主权项：1.一种形成金属层的方法，所述方法包含：a提供具有凹陷特征的半导体衬底；b将所述半导体衬底暴露于沉积抑制剂，其中所述沉积抑制剂是含卤素化合物，且其中所述沉积抑制剂修饰所述半导体衬底的表面，以使所述表面较修饰前的所述表面更能阻抗金属沉积；以及c将所述半导体衬底暴露于金属前体和还原剂，以至少在所述半导体衬底上的所述凹陷特征内形成金属层，其中所述金属前体与所述含卤素化合物是不同的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 朗姆研究公司 使用含卤素沉积抑制剂的凹陷特征中的金属沉积
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