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申请/专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日：2024-04-28
公开（公告）日：2024-08-06
公开（公告）号：CN118437249A
专利技术分类：
专利摘要：本申请提供了一种DNA合成芯片、合成装置及合成方法，芯片包括：微流控单元；调光单元，包括第一驱动基板，第一电极层，第二电极层、第一亲疏水转换层和阻挡部，其中：容纳区域用于设置遮光材料和极性液体；第一驱动基板位于第一电极层靠近微流控单元的一侧，第一驱动基板与第一电极层电连接，用于使第一电极层处于通电状态或断电状态；第二电极层与公共电极电连接，用于在第一电极层处于通电状态的情况下，与第一电极层之间产生电压差，电压差用于改变极性液体中与第一亲疏水转换层接触的部分的张力，以调整遮光材料在容纳区域中的位置。通过采用该芯片可以避免在DNA合成的过程中易产生反应物之间的交叉污染的问题。
专利权项：1.一种DNA合成芯片，其特征在于，所述芯片包括：微流控单元；调光单元，位于所述微流控单元的一侧，所述调光单元包括第一驱动基板，第一电极层，第二电极层、第一亲疏水转换层和阻挡部，其中：所述第一电极层位于所述第二电极层靠近所述微流控单元的一侧，所述第一亲疏水转换层位于所述第一电极层的靠近所述第二电极层的一侧表面，所述阻挡部围设在所述第一亲疏水转换层与所述第二电极层之间构成容纳区域，所述容纳区域用于设置遮光材料和极性液体；所述第一驱动基板位于所述第一电极层靠近所述微流控单元的一侧，所述第一驱动基板与所述第一电极层电连接，用于使所述第一电极层处于通电状态或断电状态；所述第二电极层与公共电极电连接，用于在所述第一电极层处于所述通电状态的情况下，与所述第一电极层之间产生电压差，所述电压差用于改变所述极性液体中与所述第一亲疏水转换层接触的部分的张力，以调整所述遮光材料在所述容纳区域中的位置。
百度查询： 上海天马微电子有限公司 DNA合成芯片、合成装置及合成方法
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