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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本申请提供一种高K金属栅极制程中PMOS绝缘层的填充方法，包括：步骤一，提供一衬底，在衬底上形成伪栅结构，其两侧形成有第一侧墙；步骤二，在PMOS源漏区形成锗硅应力层；步骤三，完全去除位于第一侧墙和锗硅应力层之间的掩膜层；步骤四，沉积一氧化物膜层，完全填满第一侧墙和锗硅应力层之间的间隙；步骤五，回刻蚀氧化物膜层，使位于间隙的氧化物膜层的顶部与锗硅应力层的顶部平齐；步骤六，沉积一氮化硅层后，刻蚀氮化硅层和氧化物膜层，在第一侧墙的外侧形成第二侧墙。在不改变栅极结构两侧的侧墙的结构和厚度的前提下，在PMOS栅极结构与锗硅应力层之间的间隙填满氧化物膜层，不存在氮化硅残留，减少寄生电容，提升器件速度。
主权项：1.一种高K金属栅极制程中PMOS绝缘层的填充方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，提供一衬底，在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构的两侧形成有第一侧墙；步骤二，在PMOS的源漏区形成锗硅应力层；步骤三，完全去除位于所述第一侧墙和所述锗硅应力层之间的掩膜层；步骤四，沉积一氧化物膜层，完全填满所述第一侧墙和所述锗硅应力层之间的间隙；步骤五，回刻蚀所述氧化物膜层，使位于所述间隙的所述氧化物膜层的顶部与所述锗硅应力层的顶部平齐；步骤六，沉积一氮化硅层后，刻蚀所述氮化硅层和所述氧化物膜层，在所述第一侧墙的外侧形成第二侧墙。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 高K金属栅极制程中PMOS绝缘层的填充方法
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