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申请/专利权人：国家纳米科学中心
摘要：本发明提供一种有机热电子晶体管制备方法、晶体管及能级检测方法，有机热电子晶体管制备方法包括基于有机热电子晶体管的发射极制备隧穿势垒层；基于所述有机热电子晶体管的隧穿势垒层制备基极以及基于所述有机热电子晶体管的基极制备有机半导体层；通过聚合物辅助集电极转移方法在所述有机热电子晶体管的有机半导体层上制备所述有机热电子晶体管的集电极，本发明可以提高有机热电子晶体管性能，并且允许在实际器件工作状态中原位获得有机半导体分子能级信息的特征热电子能谱，从而利用热电子能谱精确地测量有机半导体混合体系中N型有机半导体的LUMO能级。
主权项：1.一种有机热电子晶体管制备方法，有机热电子晶体管包括发射极、基极和集电极，以及设置在所述发射极与所述基极之间的隧穿势垒层和设置在所述基极与所述集电极之间的有机半导体层，其特征在于，所述方法包括：基于有机热电子晶体管的发射极制备隧穿势垒层；基于所述有机热电子晶体管的隧穿势垒层制备基极以及基于所述有机热电子晶体管的基极制备有机半导体层；通过聚合物辅助集电极转移方法在所述有机热电子晶体管的有机半导体层上制备所述有机热电子晶体管的集电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国家纳米科学中心 有机热电子晶体管制备方法、晶体管及能级检测方法
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