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申请/专利权人：上海季丰电子股份有限公司
摘要：本发明提供了一种具有3DNAND深孔结构的TEM样品的制备方法及TEM样品。所述制备方法包括以下步骤：在半导体3DNAND的表面定位具有深孔结构的目标区域，并标记；将离子减薄树脂涂敷于目标区域的表面，并固化，形成保护层；采用聚焦离子束将目标区域与半导体3DNAND的本体分离，得到待减薄的样品；用静电吸附针待减薄的样品转移至FIB载网的顶端，并固定；采用聚焦离子束对待减薄的样品进行细修，得到所述具有3DNAND深孔结构的TEM样品。所述TEM样品的制备方法有效地避免了“窗帘效应”，制备的时效快、成功率高。
主权项：1.一种具有3DNAND深孔结构的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：在半导体3DNAND的表面定位具有深孔结构的目标区域，并标记；将离子减薄树脂涂敷于目标区域的表面，并固化，形成保护层；采用聚焦离子束将目标区域与半导体3DNAND的本体分离，得到待减薄的样品；采用静电吸附针待减薄的样品转移至FIB载网的顶端，并固定；采用聚焦离子束对待减薄的样品进行细修，得到所述具有3DNAND深孔结构的TEM样品。
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百度查询： 上海季丰电子股份有限公司 一种具有3D NAND深孔结构的TEM样品的制备方法及TEM样品
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