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申请/专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日：2024-06-20
公开（公告）日：2024-08-16
公开（公告）号：CN118493143A
专利技术分类：..非金属无机材料的，如石头，陶瓷制品，瓷器[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种硅片缺口抛光方法、装置、可读存储介质及电子设备，包括：设置衰变模型，所述衰变模型通过拟合随着抛光垫累积使用时长的增长，抛光所形成的硅片缺口的宽度值而得到；在进行每一次抛光时，利用所述衰变模型计算硅片缺口宽度的当前值，并根据计算值与缺口宽度目标值的差值判断是否需要调整下一次抛光垫的进给量。通过在对硅片边缘缺口进行抛光之前，及时基于当前抛光的情况自动对下一次抛光时抛光垫的进给量进行调整，可以达到获得精确的硅片缺口去除宽度的目的。
专利权项：1.一种硅片缺口抛光方法，其特征在于，包括：设置衰变模型，所述衰变模型通过拟合随着抛光垫累积使用时长的增长，抛光所形成的硅片缺口的宽度值而得到；在进行每一次抛光时，利用所述衰变模型计算硅片缺口宽度的当前值，并根据所述衰变模型的计算值与缺口宽度目标值的差值判断是否需要调整下一次抛光垫的进给量。
百度查询： 上海新昇半导体科技有限公司 硅片缺口抛光方法、装置、可读存储介质及电子设备
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