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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：一种存储系统包括存储器控制器，该存储器控制器被配置为：确定第一最佳读取参考电压相对于第一默认读取参考电压的第一最佳读取偏移量，已经确定相对于第二默认读取参考电压具有与第一最佳读取偏移量相同的偏移量的锚读取参考电压。第一默认读取参考电压和第二默认读取参考电压被设置用于从半导体存储器件中的一组MLC读取页。可以基于锚读取参考电压来确定第一扫描范围。可以通过在第一扫描范围内进行搜索来确定第二最佳读取参考电压相对于第二读取参考电压的第二最佳读取偏移量。可以基于第一最佳读取参考电压和第二最佳读取参考电压执行读取过程，以从该组MLC读取页。
主权项：1.一种用于存储系统的方法，包括：确定第一最佳读取参考电压相对于第一默认读取参考电压的第一最佳读取偏移量；确定相对于第二默认读取参考电压具有与所述第一最佳读取偏移量相同的偏移量的锚读取参考电压，其中，所述第一默认读取参考电压和所述第二默认读取参考电压被设置用于从所述存储系统中的半导体存储器件中的一组多层单元MLC读取页；基于所述锚读取参考电压来确定第一扫描范围，其中，所述第一扫描范围的上限是所述锚读取参考电压加上限偏移量，并且所述第一扫描范围的下限是所述锚读取参考电压加下限偏移量，所述上限偏移量和所述下限偏移量是正电压值或者负电压值；以及基于所述第一扫描范围来确定第二最佳读取参考电压相对于所述第二读取参考电压的第二最佳读取偏移量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 3D NAND存储器的最佳读取参考电压搜索
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