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申请/专利权人：中国科学院上海高等研究院

摘要：本发明提供一种纳米刻写光盘的编码信息写入与干涉测量读取方法，包括：将待存储信息进行2m进制的数据编码，得到存储数码，存储数码的每一位分别对应于m个二进制信息；通过纳米信息写入方法在每个存储位点上以m个记录点的形式进行存储数码写入，m个记录点在进行信息刻录后分别对应于m个不同的光程信息；将读取光束的其中一束照射于存储位点，收集反射光并与读取光束的固定相位光束进行干涉，测得光强干涉结果，并根据光强干涉结果与存储数码的对应关系实现存储数码的读取。本发明还提供了相应的读取装置。本发明的方法通过纳米光刻，提升了信息存储量，同时采用干涉测量方法作为光盘的读取方法，可实现高存储密度光盘的快速信息读取。

主权项：1.一种纳米刻写光盘的编码信息写入与干涉测量读取方法，其特征在于，包括：步骤S1：将待存储信息进行2m进制的数据编码，得到存储数码，该存储数码的每一位分别对应于m个二进制信息；步骤S2：提供沿光盘刻写记录层依次排布的存储位点，通过纳米信息写入方法在每个存储位点上以m个记录点的形式进行一位存储数码的写入，所述m个记录点在进行信息刻录后分别对应于m个不同的光程信息；步骤S3：将读取光束的其中一束照射于所述存储位点，收集所述存储位点的反射光并与所述读取光束的固定相位光束进行干涉，测得光强干涉结果，并根据光强干涉结果与存储数码的对应关系实现该存储位点处的存储数码的读取；所述步骤S3包括：步骤S31：获取一读取光束，并将其分为两束读取光束；步骤S32：将所述读取光束的其中一束照射于所述存储位点上，形成与所述存储位点尺寸相当的读取光束光斑，收集得到所述存储位点的反射光；步骤S33：利用所述读取光束的另一束产生固定相位光束；步骤S34：将所述步骤S32中的反射光和所述步骤S33中的固定相位光束合束并形成光强干涉结果；步骤S35：测得光强干涉结果，根据光强干涉结果与存储数码的对应关系，反解出是否进行过m个记录点的信息刻录，实现该存储位点处的存储数码的读取；所述光强干涉结果与存储数码的对应关系为： 其中，I为光强干涉结果；是所述存储位点的反射光的电场，En是固定相位光束的电场；m表示存储位点的记录点的数量；I0、I0’与为固定的光场强度与相位系数，为固定相位光束的相位；为记录点i处在进行信息刻录后所对应的相位；为记录点i处在未进行信息刻录时对应的相位；“0”和“1”分别对应记录点i处是否进行信息刻录。

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百度查询： 中国科学院上海高等研究院 纳米刻写光盘的编码信息写入与干涉测量读取方法及装置