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申请/专利权人：希尔福克斯有限公司
摘要：公开了当被暴露于卤素等离子体时能耐受蚀刻的材料的各种组成。该组成包含硅与掺杂剂，硅具有至少6N的纯度即包含除硅及掺杂剂以外的杂质，且杂质浓度少于1质量ppm且掺杂剂具有至少4N的纯度即包含少于100质量ppm的杂质。掺杂剂可选自由硼、镓、磷、砷、和锑所组成的群组。公开了每一掺杂剂的特定浓度。在这些浓度下，材料被暴露于卤素等离子体时表现出相对低的蚀刻率。此外，在这些浓度下，在晶体生长时不会形成掺杂剂的沉淀物。由该材料所制成的衬底处理室的部件被暴露于衬底处理室中的卤素等离子体时表现出对蚀刻的相对高耐受度。
主权项：1.一种衬底处理室的部件，所述部件包含：硅；掺杂剂，其选自于由下列项所组成的群组：浓度介于0.05重量％至0.5重量％之间的硼或镓；浓度介于0.5重量％至5.0重量％之间的磷；浓度介于1.5重量％至15.0重量％之间的砷；和浓度介于0.1重量％至1.0重量％之间的锑；以及除所述硅和所述掺杂剂以外的一或多种杂质，所述杂质少于1质量ppm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 希尔福克斯有限公司 抗卤素等离子体蚀刻的硅晶体
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