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申请/专利权人:三星电子株式会社
摘要:一种半导体器件可以包括:位线,在衬底上;栅电极,在位线上;栅极绝缘图案,在栅电极的侧壁上;第一沟道,接触位线的上表面和栅极绝缘图案的侧壁;以及接触插塞,接触第一沟道的上表面。第一沟道可以包括尖晶石IGZO。
主权项:1.一种半导体器件,包括:位线,在衬底上;栅电极,在所述位线上;栅极绝缘图案,在所述栅电极的侧壁上;第一沟道,接触所述位线的上表面和所述栅极绝缘图案的侧壁,所述第一沟道包括尖晶石IGZO;以及接触插塞,接触所述第一沟道的上表面。
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