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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：本公开涉及一种包括能够均匀地处理半导体衬底的上表面的内部压力控制设备的衬底处理设备。该衬底处理设备包括：腔室壳体，其包括用于排出流入其中的处理气体的排气孔；位于腔室壳体内部的衬底支撑单元，其支撑半导体衬底；处理气体供应单元，其将处理气体提供到腔室壳体的内部；等离子体产生单元，其通过使用处理气体在腔室壳体内部产生等离子体；以及环体，其围绕衬底支撑单元安装并被设置为一体；并且还包括控制腔室壳体的内部压力控制设备，其中，内部压力控制设备控制环体的姿势以控制流入腔室壳体的处理气体的排出量。
主权项：1.一种衬底处理设备，包括：腔室壳体，其包括排气孔，所述排气孔被配置为排出流入其中的处理气体；衬底支撑单元，其位于所述腔室壳体内部，所述衬底支撑单元被配置为支撑半导体衬底；处理气体供应单元，其被配置为将所述处理气体提供到所述腔室壳体的内部；等离子体产生单元，其被配置为通过使用所述处理气体在所述腔室壳体内部产生等离子体；以及内部压力控制设备，其被配置为控制所述腔室壳体的内部压力，所述内部压力控制设备包括环体，所述环体围绕所述衬底支撑单元并且被设置为一体，所述内部压力控制设备被配置为控制所述环体的姿势，使得流入所述腔室壳体中的处理气体的排出量被控制。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 包括内部压力控制设备的衬底处理设备
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