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申请/专利权人:浙江大学;浙江创芯集成电路有限公司
摘要:本发明公开一种半导体器件版图图形的CD‑SEM测量方法和设备。本发明通过获取测试版图图形文件和至少一个待处理层;对多层待处理层进行去层级化;根据量测窗口内多边形信息,计算几何特征;根据几何特征,得到量测点位置的量测类型和量测参数;根据量测点的量测类型、量测参数、定位位置、对焦位置、CD‑SEM机台的量测信息参数,整理成HSS文件格式,导入到CD‑SEM机台进行测量。本发明通过多层Layer合并成一层并去层级化,便于多层级分析,将前层对目标点测量方式的影响纳入考虑范围。本发明不需要人工干预,客观分析量测类型,定位位置和对焦位置解放人工劳动力,为大量CD‑SEM图形数据量测提供了可行的解决方案。
主权项:1.一种半导体器件版图图形的CD-SEM测量方法,其特征在于所述方法包括:步骤S1:建立量测图形版图文件,所述量测图形版图文件包括多种类型测试版图图形及其对应几何特征;步骤S2:设定CD-SEM机台的量测信息参数;步骤S3:获取测试版图图形文件和至少一个待处理层;根据设计需求,在待处理层上设计至少一种测试版图图形;若待处理层为多层,则对所有待处理层进行Layer合并成一层,最后对所有待处理层进行版图打平,将多层级进行去层级化,然后执行步骤S4;若待处理层为单层,则直接执行步骤S4;步骤S4:获取量测窗口;步骤S5:根据量测窗口内部多边形信息,计算该量测点处几何特征;步骤S6:根据量测点的几何特征,得到量测点位置的量测类型和量测参数;步骤S7:获取量测点的定位位置;步骤S8:获取量测点的对焦位置;步骤S9:根据量测点的量测类型、量测参数、定位位置、对焦位置、CD-SEM机台的量测信息参数,整理成RecipeDirector能够读取的HSS文件格式;将生成的HSS文件导入到RecipeDirector,再进一步导入到CD-SEM机台进行测量。
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