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申请/专利权人：浙江大学;浙江创芯集成电路有限公司
摘要：本发明提供一种3T结构电荷俘获型闪存存储器及其制造方法。该存储器包括：衬底、源极区、漏极区、左右2个存储栅电极、存储栅电极对应的存储介质层、选通栅‑存储栅间的隔离介质层、位于2个存储栅间的一个选通栅电极、存储栅上的隔离氧化物层、金属硅化物。本发明通过共享选通栅电极在一个闪存单元中实现两个存储晶体管，大大降低每个存储位的等效面积，获得更低的成本和更高的集成密度；设计了两层结构的隔离介质层，分别起电学隔离的作用和制造工程中的保护作用；在存储栅上增加隔离氧化物层，将存储栅和选通栅上的金属硅化物分隔开来，大大降低栅与栅之间的短路问题，增加了器件的可靠性。
主权项：1.一种3T结构电荷俘获型闪存存储器，其特征在于包括：衬底1；源极区2、漏极区3，其分别内嵌在所述衬底1的两侧内，并顶部暴露；一个选通栅4，其布设在所述衬底1上方；两个存储栅5，其均布设在衬底1上方，且分别位于在所述选通栅4的两侧；两个侧墙6，其分别布设在两个存储栅5的外侧；两个第一阻挡氧化层7，其分别布设在所述两个侧墙6各自与所述存储栅5间位置；其中，每个存储栅5与所述选通栅4间设有一个隔离介质层8；每个存储栅5的顶部均布设有隔离氧化物层9、第一金属硅化物层10，所述隔离氧化物层9靠近选通栅4。
全文数据：
权利要求：
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