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申请/专利权人：西安电子科技大学

摘要：本发明公开了一种FinFET单管单粒子瞬态效应的测试电路，包括待测N型FinFET管M0、第一电流镜、第二电流镜、第一电阻R0和第二电阻R1，其中，待测N型FinFET管M0的栅极连接外部电源信号VG，漏极同时连接第一电流镜的输入端和第二电流镜的输入端，源极连接接地端；第一电阻R0连接在接地端与第二电流镜的输出端之间，第二电阻R2连接在接地端与第一电流镜的输出端之间；第一电流镜和第二电流镜均用于捕获待测N型FinFET管M0发生单粒子效应后产生的瞬态电流。本发明的FinFET单管单粒子瞬态效应的测试电路，当器件发生单粒子效应后，产生瞬态电流被电流镜捕获，根据电流大小，器件的漏端电压通过内部电路进行偏置，减弱了外加电源对瞬态特性的噪声影响。

主权项：1.一种FinFET单管单粒子瞬态效应的测试电路，其特征在于，包括待测N型FinFET管M0、第一电流镜、第二电流镜、第一电阻R0和第二电阻R1，其中，所述待测N型FinFET管M0的栅极连接外部电源信号VG，所述待测N型FinFET管M0的漏极同时连接所述第一电流镜的输入端以及所述第二电流镜的输入端，所述待测N型FinFET管M0的源极连接接地端gnd；所述第一电阻R0连接在接地端gnd与所述第二电流镜的输出端out2之间，所述第二电阻R1连接在接地端gnd与所述第一电流镜的输出端out1之间；所述第一电流镜和所述第二电流镜均用于捕获所述待测N型FinFET管M0发生单粒子效应后产生的瞬态电流；所述第一电流镜和所述第二电流镜采用对称的结构；所述第一电流镜包括第一P型FinFET管M1和第二P型FinFET管M2，所述第二电流镜包括第三P型FinFET管M3和第四P型FinFET管M4，其中，所述第一P型FinFET管M1的源极、所述第二P型FinFET管M2的源极、所述第三P型FinFET管M3的源极和所述第四P型FinFET管M4的源极均连接电源端VDD；所述第一P型FinFET管M1的栅极、所述第二P型FinFET管M2的栅极、所述第三P型FinFET管M3的栅极、所述第四P型FinFET管M4的栅极、所述第二P型FinFET管M2的漏极以及所述第四P型FinFET管的漏极M4均连接所述待测N型FinFET管M0的漏极；所述第一P型FinFET管M1的漏极作为所述第一电流镜的输出端out1，所述第三P型FinFET管M3的漏极作为所述第二电流镜的输出端out2。

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权利要求：

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