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申请/专利权人：集芯华微半导体材料(上海)有限公司
摘要：本发明提供了一种CVD工艺制备碳化硅的尾气中主要原料回收处理装置，碳化硅CVD工艺主要原材料分别为四氯化硅，三氯氢硅和甲基三氯硅烷等。CVD炉末端尾气是一种混合气体，由于混合气体各组份沸点差异较大，本回收处理装置完全利用物理方法进行主要原材料分离，以降低成本，减轻环保压力。本装置主要包含风冷机、水冷机、气液分离器、风机和其他组份废气处理装置；风冷机在高温情况下拥有能耗低的特性，故在水冷机前设置一台风冷机（在需要余热回收时可不使用风冷机），以此降低能耗（回收热能），通过一段或多段的冷却，已有90%以上的主要原料成为液态，用专门的容器进行收集，他们分别与这三个主要原材料的沸点相关，分别为：四氯化硅为57.6℃，三氯氢硅为31.8℃，甲级三氯硅烷为66.4℃，冷却系统控制温度分别设置为低于沸点的5℃到20℃，在气温和环境温度偏高的地方，需要设定冷冻装置，以保证产品的液化；气液分离器主要将雾化状态的主要原料和残存气体进一步分离，所分离出来的液体也进入专用的回收容器进行收集，没有液化的混合气体，进入其他组份废气处理装置，加碱中和处理达标排放。本发明主要用于：将CVD工艺制备碳化硅的尾气中的四氯化硅，三氯氢硅和甲基三氯硅烷的混合气体进行分离回收，重复利用，降低成本，同时降低排放气体中的污染因子，保护环境。
主权项：1.一种CVD工艺制碳化硅尾气中主要原料回收处理装置，其特征在于，包括：所述装置主要用于四氯化硅，三氯氢硅和甲基三氯硅烷的气体的回收。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 集芯华微半导体材料(上海)有限公司 一种CVD工艺制备碳化硅的尾气中主要原料回收处理装置
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