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申请/专利权人：富士胶片株式会社

摘要：本发明的课题是提供一种能够用于制造半导体器件且含有过氧化氢的组合物，并且保存稳定性优异且对半导体基板的缺陷影响小的组合物。并且，本发明的另一课题是提供一种含有上述过氧化氢的组合物的制造方法及保管有上述组合物的组合物收容体。本发明的组合物含有过氧化氢、酸及Fe成分，上述Fe成分的含量相对于上述酸的含量，以质量比计为10‑5～102。

主权项：1.一种组合物，其含有过氧化氢、酸及Fe成分，所述Fe成分的含量相对于所述酸的含量，以质量比计为10-5～102，所述酸为选自磷酸及磷酸衍生物中的1种，所述组合物还含有蒽醌类化合物，所述蒽醌类化合物的含量相对于组合物总质量，为0.01质量ppb～1000质量ppb。

全文数据：组合物、组合物收容体及组合物的制造方法技术领域本发明涉及一种含有过氧化氢的组成物及其制造方法以及组合物收容体。背景技术在半导体器件的制造工序中包括半导体硅晶圆的清洗工序、光刻工序、蚀刻工序、离子注入工序或剥离工序等各种工序。在此，在各工序结束之后或移动到下一工序之前，一般包括使用处理液而对不需要的有机物及无机物进行处理的工序。作为该处理液，有时会使用含有过氧化氢的处理液。过氧化氢一般通过将蒽醌类化合物作为原料的所谓的蒽醌法来合成例如参照专利文献1。要求在半导体器件的制造工序中使用高纯度的处理液。在此所说的“高纯度”是表示，作为杂质而包含的金属成分或颗粒粒子的各浓度低。若在处理液中混入有金属成分的杂质例如，金属离子或金属粒子，则进行加工处理时，会引起金属扩散于对象材料的称为迁移的现象。迁移阻碍电信号的传递而成为短路等不良的原因。并且，不仅如此，还存在金属的杂质将其金属本身作为核而成为粗大的颗粒，并在处理后作为残渣而残留在半导体基板上的情况。残渣除了使光刻性能恶化以外，还成为产生缺陷的原因，会对微细的抗蚀图案或半导体元件的形成带来恶劣影响。以往技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-108903号公报发明内容发明要解决的技术课题本发明人等利用通过如专利文献1中所记载的蒽醌法制造而成的过氧化氢水，对半导体器件制造的适用性进行了研究，以至认识到存在改善过氧化氢水的保存稳定性的空间。作为该保存稳定性低的原因，衍生自溶剂或衍生自原料等而混入的Fe成分在酸性区域中发生催化性的反应，从而对过氧化氢进行氢氧自由基化所谓的芬顿反应，其结果，被认为过氧化氢进行分解。另一方面，已知当使用酸等金属吸附剂而将上述Fe成分作为金属吸附体例如，酸为多牙polydentate结构时，为螯合络合物时抑制芬顿反应。本发明人等想要使用Fe成分和作为金属吸附剂的酸而改进过氧化氢水的保存稳定性，其结果认识到在Fe成分相对于酸过少时，存在过氧化氢水无法满足半导体器件制造用途中所要求的高纯度性的情况。即，以至认识到，当使用上述过氧化氢水清洗半导体基板时，存在附着在半导体基板上的颗粒数也称为“缺陷数”。增加而无法适用于半导体器件制造工序中的情况。尤其，该问题会随着半导体器件的高积体化和微细化例如，30nm节点以下而更加明显。而且近年来，也对10nm节点以下的半导体器件的制造进行了研究，而该问题变得进一步明显。本发明的课题是提供一种能够在半导体器件制造中使用且含有过氧化氢的组合物，并且保存稳定性优异且对半导体基板的缺陷影响小的组合物。并且，本发明的课题还是提供一种含有上述过氧化氢的组合物的制造方法及保管有上述组合物的组合物收容体。用于解决技术课题的手段本发明人等为了实现上述课题而进行了锐意研究的结果发现，根据含有过氧化氢且Fe成分和作为金属吸附剂的酸被控制在特定比率的组合物，能够解决上述课题，以至完成本发明。即，发现了通过以下结构而能够实现上述目的。1一种组合物，其含有过氧化氢、酸及Fe成分，上述Fe成分的含量相对于上述酸的含量，以质量比计为10-5～102。2根据1所述的组合物，其还含有蒽醌类化合物。3根据1或2所述的组合物，其中，上述蒽醌类化合物的含量相对于组合物总质量，为0.01质量ppb～1000质量ppb。4根据1至3中任一项所述的组合物，其中，上述酸的含量相对于组合物总质量，为0.01质量ppb～1000质量ppb。5根据1至4中任一项所述的组合物，其中，上述Fe成分的总含量相对于组合物总质量，为0.1质量ppt～1质量ppb。6根据1至5中任一项所述的组合物，其中，上述Fe成分中所含的Fe粒子的含量相对于组合物总质量，为0.01质量ppt～0.1质量ppb。7根据1至6中任一项所述的组合物，其还含有至少1种以上的金属成分，该金属成分含有选自包括Ni、Pt、Pd、Cr、Ti及Al的组中的特定原子，上述金属成分的含量按照各特定原子分别相对于组合物总质量，为0.01质量ppt～10质量ppb。8根据1至6中任一项所述的组合物，其还含有至少1种以上的金属成分，该金属成分含有选自包括Ni、Pt、Pd及Al的组中的特定原子，上述金属成分的含量相对于组合物总质量，为0.01质量ppt～1质量ppb。9根据2至8中任一项所述的组合物，其中上述蒽醌类化合物是选自包括烷基蒽醌及烷基四氢蒽醌的组中的至少1种以上。10根据9所述的组合物，其中，上述烷基蒽醌为乙基蒽醌或戊基蒽醌，上述烷基四氢蒽醌为乙基四氢蒽醌或戊基四氢蒽醌。11根据1至10中任一项所述的组合物，其中，上述酸选自包括磷酸及磷酸衍生物的组中的1种。12根据1至11中任一项所述的组合物，其被用作半导体基板的处理液。13一种组合物收容体，其具有保管容器及收容于上述保管容器内的1至12中任一项所述的组合物，上述保管容器的与上述组合物接触的区域，是由以非金属为主成分的材料形成的。14根据13所述的组合物收容体，其中，上述以非金属为主成分的材料，是选自包括高密度聚乙烯、四氟乙烯全氟烷基乙烯基醚共聚物及聚四氟乙烯的组中的1种。15根据13或14所述的组合物收容体，其中，上述以非金属为主成分的材料的与水的接触角为60°～120°。16一种组合物的制造方法，其为1至12中任一项所述的组合物的制造方法，其具有：原料纯化工序，对选自溶剂及包含蒽醌类化合物的原料成分的任意1种以上进行纯化；过氧化氢合成工序，在催化剂存在下还原上述蒽醌类化合物而合成蒽氢醌类化合物，进一步氧化上述蒽氢醌类化合物而合成过氧化氢；过氧化氢分离工序，通过萃取所得的过氧化氢而从反应系统中取出；及过氧化氢组合物纯化工序，进一步对含有从反应系统中分离出的过氧化氢的过氧化氢组合物进行纯化。发明效果根据本发明，能够提供一种能够在半导体器件制造中使用且含有过氧化氢的组合物，并且保存稳定性优异且对半导体基板的缺陷影响得到抑制的组合物。并且，根据本发明，能够提供一种含有上述过氧化氢的组合物的制造方法及保管有上述组合物的组合物收容体。另外，根据本发明，能够提供一种尤其在近年来的超微细图案例如，10nm节点以下的半导体器件形成中也能够抑制缺陷的产生且保存稳定性优异的处理液及收容其组合物的收容体。附图说明图1是表示能够在本发明的组合物的制造方法中使用的纯化装置的一种方式的概略图。图2是表示能够在本发明的组合物的制造方法中使用的纯化装置的另一方式的概略图。具体实施方式以下，对本发明详细地进行说明。以下记载的构成要件的说明有时基于本发明的代表性实施方式而完成，但是本发明并非限定于这种实施方式。另外，在本说明书中，用“～”表示的数值范围是表示，将记载于“～”的前后的数值作为下限值和上限值而包含的范围。在本说明书中的基团原子团的标记中，未记述取代及未取代的标记是在无损于本发明的效果的范围内一同包含不具有取代基的基团原子团和具有取代基的基团原子团。例如，“烷基”是指不仅包含不具有取代基的烷基未取代烷基，也包含具有取代基的烷基取代烷基。这对于各化合物均同义。并且，在本说明书中，称为“准备”时，除了表示如合成或调合特定材料而具备的情况以外，还表示通过购买等而置办规定物品的情况。并且，在本说明书中，“ppm”表示“百万分之一parts-per-million10-6”，“ppb”表示“十亿分之一parts-per-billion10-9”，“ppt”表示“万亿分之一parts-per-trillion10-12”。并且，在本说明书中，“半导体基板”只要是可以用于半导体器件制造中的基板，则并没有特别限定，例如，可以举出硅基板Si基板、硅氧化膜基板SiO基板、氮化硅基板SiN基板等。并且，基板并不只限于晶圆，也可以是包含在晶圆上实施有电路结构的基板结构体整体。〔组合物〕本发明的组合物含有过氧化氢、酸及Fe成分，上述Fe成分的含量相对于上述酸的含量，以质量比计为10-5～102。本发明的组合物通过设为上述结构，从而保存稳定性优异，且适用于半导体器件制造工序时对半导体基板的缺陷影响较小。即，本发明的组合物在经时保存后，过氧化氢的分解率也较小。并且，例如，当将本发明的组合物作为处理液而适用于半导体器件制造工序时，作为处理对象的半导体基板，颗粒的附着较少换句话说，缺陷数较少，因此能够抑制半导体基板成品率的降低。它的详细内容并不明确，但是可以推测为如下。本发明的组合物优选为以能够适用于半导体器件制造工序的方式，通过过滤或离子交换等，去除并纯化液体中所含的微量的有机污染物、金属污染物及油脂等杂质而成的组合物。本发明的组合物的特征为，进行制备时过度进行该去除并纯化，但是并不完全去除上述杂质，而是至少残留微量程度的Fe成分。另外，认为Fe成分在含有溶剂或蒽醌的原料成分中存在一定程度，并通过这些溶剂或原料而混入组合物中。在本说明书中，Fe成分包含离子状态的Fe原子及非离子状态的Fe原子，例如，包含Fe离子及Fe的金属粒子Fe粒子的形态。即，Fe成分是表示组合物中所含的全部的衍生自Fe原子的成分Fe离子、Fe粒子，Fe成分的含量是表示总金属量总Fe原子量。另外，本发明组合物的制备过程中也可以是，在纯化去除Fe成分至小于上述规定数值范围的下限之后，添加Fe成分以使其成为规定数值范围的形态。并且，上述杂质去除并纯化既可以对合成过氧化氢的过程中使用的溶剂或原料成分实施，也可以对合成过氧化氢之后而含有过氧化氢的组合物实施。如上所述，本发明的组合物中，认为酸作为金属吸附剂发挥作用。Fe成分尤其在酸性区域中通过芬顿反应而分解过氧化氢pH越高，分解速度越快，但是通过将酸作为金属吸附剂而使Fe成分络合化，从而能够抑制芬顿反应。若Fe成分的含量相对于酸的含量，以质量比计超过102，则很难抑制芬顿反应，组合物的保存稳定性不充分。另一方面，Fe成分的含量相对于酸的含量，以质量比计小于10-5，则在液体中形成胶体粒子，成为附着在半导体基板上的缺陷数增加的原因。组合物中，当Fe成分的含量相对于上述酸的含量，以质量比计为10-5～102时，保存稳定性优异且适用于半导体器件制造工序时对半导体基板的缺陷影响较小。并且，本发明的组合物中，上述Fe成分的总含量相对于组合物总质量优选为0.1质量ppt～1质量ppb。通过将组合物中所含的上述Fe成分的总含量设为上述范围，使本发明的效果更进一步优异。其理由尚不明确，但是可以推测为当上述Fe成分的总含量是低浓度区域时，除非形成具有易溶性的络合离子，否则通常其大部分成为Fe的水合物缩合而成的氢氧化物胶体而分散。若Fe成分的总含量为0.1质量ppt以上，则作为正胶体的作用减弱，难以对负的Zeta电位比硅表面略高的氧化膜进行吸附，因此难以显现对半导体基板的缺陷影响。并且，当Fe成分的总含量相对于组合物总质量为0.1质量ppt以上时，还确认到组合物的氧化力优异。其理由尚不明确，但是可以认为是由于Fe成分的总含量相对于组合物总质量为0.1质量ppt以上时，作为反应活性种的氢氧自由基的量在系统中以适当的量存在。换句话说，当Fe成分的总含量相对于组合物总质量小于0.1质量ppt时，作为反应活性种的氢氧自由基的量在系统中过少，具有氧化力减小的倾向。另一方面，若上述Fe成分的总含量相对于组合物总质量为1质量ppb以下，则Fe成分不会成为颗粒，且适用于半导体器件的制造工序时，不会增加对半导体基板的缺陷。本发明的组合物中，酸的含量相对于组合物总质量优选为0.01质量ppb～1000质量ppb。酸的含量相对于组合物总质量小于0.01质量ppb时，存在组合物中的Fe成分的含量会相对变得过多的情况。只要酸的含量相对于组合物总质量为0.01质量ppb以上，则Fe成分的含量被调整为适当的范围，因此保存稳定性更加优异或在液体中Fe成分不会成为核而形成颗粒，且使用于半导体器件的制造工序时能够抑制对半导体基板的缺陷。另一方面，酸的含量相对于组合物总质量超过1000质量ppb时，存在组合物中的Fe成分的含量会相对变得过少的情况。只要酸的含量相对于组合物总质量为1000质量ppb以下，则在液体中难以形成胶体粒子，且适用于半导体器件的制造工序时能够抑制对半导体基板的缺陷。并且，过氧化氢通常通过蒽醌法而合成。含有通过蒽醌法合成而得到的过氧化氢的组合物中，大多存在虽然是微量，但是仍残留一定程度的衍生自原料的杂质例如，衍生自蒽醌类化合物或可以在还原蒽醌而合成蒽氢醌的工序中使用的催化剂且含有选自包括Ni、Pt、Pd及Al的组中的原子的金属成分的情况。这些杂质通常优选被去除，但是在本发明中并不完全去除，而是优选至少在组合物中残留微量的程度。本发明的组合物中，蒽醌类化合物的含量相对于组合物总质量优选为0.01质量ppb～1000质量ppb。只要蒽醌类化合物的含量相对于组合物总质量为0.01质量ppb以上，则具有改进缺陷性能的效果。另一方面，只要蒽醌类化合物的含量相对于组合物总质量为1000质量ppb以下，则适用于半导体器件的制造工序时，对半导体基板的缺陷影响较小。并且，本发明的组合物也可以含有金属成分，该金属成分含有选自包括Ni、Pt、Pd、Cr、Ti及Al的组中的原子以下，还称为“特定原子”。。上述金属成分的含量按照各特定原子分别相对于组合物总质量优选为0.01质量ppt～10质量ppb。在此，金属成分含有离子状态的特定原子及非离子状态的特定原子，例如，包含特定金属离子及特定金属粒子非离子性金属的形态。即，当本发明的组合物例如仅包含Pt成分时，Pt成分中包含组合物中所含的衍生自Pt原子的所有成分Pt离子、Pt粒子，Pt成分的含量是表示Pt的总金属量总Pt原子量总金属量是如上。。并且，“上述金属成分的含量按照各特定原子分别相对于组合物总质量为0.01质量ppt～10质量ppb”是表示，当本发明的组合物例如包含Pt成分及Ni成分这2种时，按照各特定原子分别换句话说，Pt成分的含量及Ni成分的含量中的任一者相对于组合物总质量，为0.01质量ppt～10质量ppb。只要含有选自包括Ni、Pt、Pd、Cr、Ti及Al的组中的特定原子的金属成分的含量按照各特定原子分别相对于组合物总质量为0.01质量ppb以上，则组合物的氧化力更加优异。另一方面，只要含有选自包括Ni、Pt、Pd、Cr、Ti及Al的组中的特定原子的金属成分的含量按照各特定原子分别相对于组合物总质量为1000质量ppb以下优选为10质量ppb以下，则适用于半导体器件的制造工序时对半导体基板的缺陷影响较小。另外，如上所述，含有通过蒽醌法合成而得到的过氧化氢的组合物中能够含有许多金属成分，这些金属成分衍生自在还原蒽醌而合成蒽氢醌的工序中可以使用的催化剂且含有Ni原子、Pt原子、Pd原子和或Al原子。并且，是存在很多还混入有上述以外的其他衍生自原料成分的金属成分的情况。这些金属成分中，尤其通过将金属成分的含量设为上述范围而确认获得上述效果的情况，该金属成分含有选自包括Ni、Pt、Pd、Cr、Ti及Al的组中的原子。并且，本发明的组合物中，含有选自包括Ni、Pt、Pd及Al的组中的原子以下，还称为“特定原子”。的金属成分的含量相对于组合物总质量优选为0.01质量ppt～1质量ppb。在此，金属成分中包含离子状态的特定原子及非离子状态的特定原子，例如，包含特定金属离子及特定金属粒子非离子性金属的形态。即，当本发明的组合物例如仅包含Pt成分时，Pt成分中包含组合物中所含的衍生自Pt原子的所有成分Pt离子、Pt粒子，Pt成分的含量是表示Pt的总金属量总Pt原子量总金属量是如上。。只要含有选自包括Ni、Pt、Pd及Al的组中的特定原子的金属成分的含量相对于组合物总质量为0.01质量ppb以上，则组合物的氧化力更加优异。另一方面，只要含有选自包括Ni、Pt、Pd及Al的组中的特定原子的金属成分的含量相对于组合物总质量为1000质量ppb以下优选为1质量ppb以下，则适用于半导体器件的制造工序时对半导体基板的缺陷影响较小。另外，如上所述，含有通过蒽醌法合成而得到的过氧化氢的组合物中能够含有许多金属成分，这些金属成分衍生自在还原蒽醌而合成蒽氢醌的工序中可以使用的催化剂且含有Ni原子、Pt原子、Pd原子和或Al原子。通过将该金属成分的含量设为上述范围而确认获得上述效果，该金属成分含有选自包括Ni、Pt、Pd及Al的组中的原子。以下，对本发明的组合物的各成分进行更详细的说明。＜过氧化氢＞本发明的组合物中，过氧化氢的含量优选为0.001～70质量％，更优选为10～60质量％，进一步优选为15～60质量％。＜酸＞本发明的组合物含有酸。另外，在此所说的“酸”中不含有过氧化氢。作为酸，只要能够吸附存在于液体中的金属离子作为吸附形态，可以举出离子键结或配位键结。，则并没有特别限定，但是优选为水溶性酸性化合物。作为水溶性酸性化合物，只要具有溶解于水而显示酸性的可以解离的官能基，则并没有特别限制，可以是有机化合物，也可以是无机化合物。并且，在此所说的水溶性是指，在25℃下，在水100g中溶解5g以上的情况。作为水溶性酸性化合物及其盐，例如，可以举出无机酸例如，盐酸、硫酸、磷酸及硝酸等等酸性化合物、羧酸衍生物、磺酸衍生物及磷酸衍生物等。并且，这些酸性官能基也可以是形成盐的化合物。其中，作为上述水溶性酸性化合物，从能够有效地螯合杂质并去除该杂质的观点考虑，优选为磷酸衍生物或磷酸。作为磷酸衍生物，例如，可以举出焦磷酸和多磷酸。并且，作为形成水溶性酸性化合物和盐的阳离子，可以举出碱金属、碱土类金属、四级烷基化合物例如，四甲基氢氧化铵TMAH、四乙基氢氧化铵TEAH、甲丙基氢氧化铵TPAH及四丁基氢氧化铵TBAH等等。形成上述盐的阳离子可以是1种，也可以是2种以上的组合。并且，作为水溶性酸性化合物，除上述的水溶性酸性化合物以外，还可以使用所谓的螯合剂。作为螯合剂，并没有特别限定，但是优选为聚胺基聚羧酸。聚胺基聚羧酸为具有多个胺基和多个羧酸基的化合物，例如，可以举出单-或聚伸烷基聚胺聚羧酸、聚胺基烷烃聚羧酸、聚胺基烷醇聚羧酸及羟烷基醚聚胺聚羧酸。作为合适的聚胺基聚羧酸螯合剂，例如，可以举出丁二胺四乙酸、二乙烯三胺五乙酸DTPA、乙二胺四丙酸、三乙烯四胺六乙酸、1,3-二胺基-2-羟基丙烷-N,N,N’,N’-四乙酸、丙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸EDTA、反式-1,2-二胺基环己烷四乙酸、乙二胺二乙酸、乙二胺二丙酸、1,6-六亚甲基-二胺-N,N,N’,N’-四乙酸、N,N-双2-羟基苄基乙二胺-N,N-二乙酸、二胺基丙烷四乙酸、1,4,7,10-四氮杂环十二烷-四乙酸、二胺基丙醇四乙酸及羟乙基乙二胺三乙酸。其中，优选二乙烯三胺五乙酸DTPA、乙二胺四乙酸EDTA或反式-1,2-二胺基环己烷四乙酸。本发明的组合物中，酸能够单独或组合2种以上而配合。如上所述，酸的含量相对于组合物总质量优选为0.01质量ppb～1000质量ppb。从使本发明的效果更进一步优异的观点考虑，更优选为0.05质量ppb～800质量ppb，进一步优选为0.05质量ppb～500质量ppb。＜Fe成分＞本发明的组合物含有Fe成分。如上所述，本发明的组合物中，Fe成分的含量相对于酸的含量，以质量比计为10-5～102。从使本发明的效果更进一步优异的观点考虑，Fe成分的含量相对于酸的含量以质量比计优选为10-3～10-1。并且，如上所述，本发明的组合物中，上述Fe成分的含量相对于组合物总质量优选为0.1质量ppt～1质量ppb。从使本发明的效果更进一步优异的观点考虑，更优选为0.1质量ppt～800质量ppt，进一步优选为0.1质量ppt～500质量ppt。另外，在此的含量是表示Fe原子的总金属量。＜水＞本发明的组合物可以含有水作为溶剂。水的含量并没有特别限定，相对于组合物总质量，为1～99.999质量％即可以。作为水，优选在半导体器件的制造中使用的超纯水。作为水，尤其，优选降低了无机阴离子及金属离子等的水，其中，更优选衍生自Fe、Co、Na、K、Ca、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni及Zn等金属原子的离子浓度被降低的水，当用于本发明组合物的调液时，进一步优选调整为ppt级或其以下在一种形态中，金属含有率小于0.001质量ppt的水。作为调整方法，优选使用了过滤膜或离子交换膜的纯化或基于蒸馏的纯化。作为调整方法，例如，可以举出日本特开2011-110515号公报[0074]段至[0084]段中记载的方法、日本特开2007-254168号公报中记载的方法。另外，本发明的实施方式中使用的水优选如上述那样获得的水。当将本发明的组合物用作半导体制造用处理液时，从可以明显得到本发明所期望的效果的观点考虑，上述水更优选不仅用于本发明的组合物，还用于收容容器的清洗、后述的试剂盒的调液中。并且，上述水优选还用于本发明组合物的制造工序、本发明组合物的成分测定及用于本发明组合物的评价的测定等中。＜蒽醌类化合物＞本发明的组合物也可以含有蒽醌类化合物。作为蒽醌类化合物，例如，可以举出通过蒽醌法进行的过氧化氢的合成过程中使用的蒽醌类化合物。具体而言，优选为选自包括烷基蒽醌及烷基四氢蒽醌的组中的至少1种以上。烷基蒽醌及烷基四氢蒽醌中所含的烷基，例如优选为碳原子数1～8，更优选为碳原子数1～5。作为烷基蒽醌，其中，优选乙基蒽醌或戊基蒽醌。并且，作为烷基四氢蒽醌，其中，优选乙基四氢蒽醌或戊基四氢蒽醌。本发明的组合物中，蒽醌类化合物能够单独或组合2种以上而配合。当本发明的组合物含有蒽醌类化合物时，如上所述，其含量相对于组合物总质量优选为0.01质量ppb～1000质量ppb。从使本发明的效果更进一步优异的观点考虑，更优选为0.05质量ppb～800质量ppb，进一步优选为0.05质量ppb～500质量ppb。＜含有选自包括Ni、Pt、Pd、Cr、Ti及Al的组中的特定原子的金属成分＞本发明的组合物也可以含有至少1种以上的金属成分，该金属成分含有选自包括Ni、Pt、Pd、Cr、Ti及Al的组中的特定原子。当本发明的组合物包含含有选自包括Ni、Pt、Pd、Cr、Ti及Al的组中的特定原子的金属成分时，如上所述，上述金属成分的含量按照各特定原子分别相对于组合物总质量优选为0.01质量ppt～10质量ppb。从使本发明的效果更进一步优异的观点考虑，更优选为0.01质量ppt～1质量ppb，进一步优选为0.01质量ppt～800质量ppt，尤其优选为0.01质量ppt～500质量ppt。＜含有选自包括Ni、Pt、Pd及Al的组中的特定原子的金属成分＞本发明的组合物也可以含有至少1种以上的金属成分，该金属成分含有选自包括Ni、Pt、Pd及Al的组中的特定原子。当本发明的组合物包含含有选自包括Ni、Pt、Pd及Al的组中的特定原子的金属成分时，如上所述，其含量相对于组合物总质量优选为0.01质量ppt～1质量ppb。从使本发明的效果更进一步优异的观点考虑，更优选为0.01质量ppt～800质量ppt，进一步优选为0.01质量ppt～500质量ppt。本发明的组合物除了上述成分以外，在发挥本发明的效果的范围内，也可以含有其他添加剂。作为其他添加剂，例如，可以举出界面活性剂、消泡剂、pH调整剂及氟化物等。〔组合物的制造方法〕本发明的组合物的制造方法，其具有：原料纯化工序以下还称为“第1工序”，对选自溶剂及包含蒽醌类化合物的原料成分的任意1种以上进行纯化；过氧化氢合成工序以下还称为“第2工序”，在催化剂存在下还原上述蒽醌类化合物而合成蒽氢醌类化合物，进一步氧化上述蒽氢醌类化合物而合成过氧化氢；过氧化氢分离工序以下还称为“第3工序”，通过萃取所得的过氧化氢而从反应系统中取出；及过氧化氢组合物纯化工序以下还称为“第4工序”，进一步对含有从反应系统中分离出的过氧化氢的过氧化氢组合物进行纯化。以下，对第1工序至第4工序进行详述。第1工序：原料纯化工序本发明的组合物的制造方法是通过所谓的蒽醌法，使用蒽醌类化合物作为原料而合成过氧化氢的方法。本第1工序中，事先通过蒸馏、离子交换及过滤等而纯化选自含有溶剂及蒽醌类化合物的原料成分的任意1种以上。作为纯化的程度，例如，纯化至原料纯度优选为99％以上，纯化至纯度更优选为99.9％以上。为了得到基于本发明的明显的效果，使用这种高纯度的原料是重要的。第1工序中所说的溶剂是指，除了包含第2工序中实施的使用于过氧化氢的合成反应时的溶剂以外，还包含第3工序中用作过氧化氢的萃取溶剂的水或在上述组合物纯化工序结束之前任意使用的溶剂。并且，第1工序中所说的含有蒽醌类化合物的原料成分是指，除了包含上述烷基蒽醌及烷基四氢蒽醌等蒽醌类化合物以外，还包含蒽醌类化合物的还原催化剂。作为纯化方法，并没有特别限定，可以举出在离子交换树脂或RO膜反渗透膜ReverseOsmosisMembrane等中通过的方法、蒸馏及后述的过滤等方法。具体而言，例如，可以举出使液体在反渗透膜等中通过而实施1次纯化之后，使液体在包括阳离子交换树脂、阴离子交换树脂或混合床型离子交换树脂的纯化装置中通过而实施2次纯化的方法等。另外，纯化处理也可以组合多个上述公知的纯化方法而实施。并且，纯化处理也可以实施多次。第2工序：过氧化氢合成工序本第2工序能够适用将蒽醌类化合物作为原料的公知的过氧化氢的合成方法。例如，可以举出日本特开2014-108903号公报中记载的方法。第3工序：过氧化氢分离工序本第3工序是将上述第2工序中所得的过氧化氢萃取而取出的工序，能够适用公知的过氧化氢的萃取方法。例如，可以举出日本特开2014-108903号公报中记载的方法。另外，进行萃取时，优选使用水来萃取过氧化氢。第3工序中的“水”优选经由第1工序，即原料纯化工序，并衍生自Fe、Co、Na、K、Ca、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni及Zn等金属原子的离子浓度被降低的“水”，更优选离子交换水或半导体器件的制造中使用的超纯水。第4工序：过氧化氢组合物纯化工序第4工序是纯化在第3工序中所得的过氧化氢组合物过氧化氢水的工序。作为纯化方法，并没有特别限定，可以举出在离子交换树脂中通过的方法及减压蒸馏等方法。作为在离子交换树脂中通过的方法，例如，除了使用酸性阳离子交换树脂的方法以外，还可以举出使用阴离子交换树脂和阳离子交换树脂的混合床的方法。并且，也可以对过氧化氢水实施如后述那样的过滤。另外，纯化处理也可以组合多个上述公知的纯化方法而实施。并且，纯化处理也可以实施多次。＜过滤＞作为过滤器，只要是一直以来在过滤用途等中使用的过滤器，则能够没有特别限定地使用。例如，可以举出基于聚四氟乙烯PTFE及四氟乙烯全氟烷基乙烯基醚共聚物PFA等氟树脂、尼龙等聚酰胺系树脂以及聚乙烯及聚丙烯PP等聚烯烃树脂包含高密度、超高分子量等的过滤器。这些材料之中，优选选自包括聚乙烯、聚丙烯包含高密度聚丙烯、PTFE及PTA等氟树脂以及尼龙等聚酰胺系树脂的组中的材料，其中，更优选聚丙烯包含高密度聚丙烯及尼龙的过滤器。通过使用由这些材料形成的过滤器，能够有效地去除容易成为半导体基板的缺陷残渣缺陷或颗粒缺陷的原因的极性高的异物，除此以外，还能够有效地减少本申请发明的特定金属成分的量。在一种形态中，过滤器的孔径适合为0.001～1.0μm左右，优选为0.02～0.5μm左右，更优选为0.01～0.1μm左右。通过设为该范围，能够抑制过滤堵塞，并且能够确实地去除被处理物是成为过滤对象的溶液，例如，在第1工序中使用的溶剂或原料成分及经由第3工序获得的过氧化氢水中所含的杂质或凝聚物等微细的异物。使用过滤器时，也可以组合不同过滤器。当组合不同过滤器而使用时，例如，可以举出使用第1过滤器及第2过滤器的方法。此时，第1过滤器中的过滤可以进行1次，也可以进行2次以上。并且，也可以在上述范围内组合不同孔径的第1过滤器。在此的孔径能够参照过滤器制造商的标称值。作为市售的过滤器，例如，能够从NIHONPALLLTD.、ToyoRoshiKaisha,Ltd.、NihonEntegrisK.K.旧JapanMicrolisCo.,Ltd.或KITZMICROFILTERCORPORATION等所提供的各种过滤器中选择。第2过滤器能够使用由与上述第1过滤器相同的材料等形成的过滤器。在一种形态中，第2过滤器的孔径适合为0.01～1.0μm左右，优选为0.1～0.5μm左右。通过设为该范围，在被处理物中含有成分粒子例如，后述的Fe粒子时，能够以残留该成分粒子的状态去除混入被处理物中的异物。并且，所使用的过滤器优选在过滤被处理物之前进行处理。该处理中使用的液体并没有特别限定，但是金属含有率优选为小于0.001质量ppt，除上述水以外，只要是对其他有机溶剂进行纯化而金属含量成为上述范围的液体、或本发明组合物其本身、稀释本发明的组合物而成的液体或包含添加于本发明组合物中的化合物的液体，则可以明显得到本发明中所期望的效果。以下，对能够优选使用于被处理物的纯化且具备过滤器的纯化装置进行说明。·纯化装置图1是表示纯化装置的一种形态的概略图。纯化装置100具备罐101，罐101具备用于供给被处理物的供给口102。纯化装置100具备过滤装置105，罐101与过滤装置105通过供给管路109连结，使罐101与过滤装置105之间能够输送流体被处理物。供给管路109上配置有阀103及泵104。图1中，纯化装置100具备罐101及过滤装置105，但是作为在被处理物的过滤中可以使用的纯化装置，并不限于此。在纯化装置100中，从供给口102供给的流体经由阀103及泵104而流入过滤装置105。从过滤装置105排出的流体经由循环管路110而收容于罐101。纯化装置100具备向循环管路110排出被处理物的排出部111。排出部111具备阀107及容器108，通过设置于循环管路的阀106与上述阀107的切换，能够将被处理物收容于容器108中。并且，阀107上连接有可以切换的管路113，经由该管路113，能够将循环清洗后的被处理物排出至纯化装置100的外部。循环清洗后的被处理物中有时含有颗粒及金属杂质等，根据具备将被处理物排出至装置外的管路113的纯化装置100，能够不污染容器108的填充部分等而有效地去除容易成为半导体基板缺陷原因的异物。而且，纯化装置100在循环管路110中具备被处理物监测部112。图1中，纯化装置100在循环管路110中具备被处理物监测部112，但是作为被处理物的过滤中可以使用的纯化装置，并不限于此。被处理物监测部112也可以具备在供给管路109中，也可以具备在供给管路109和循环管路110中。另外，在纯化装置100中，被处理物监测部112直接具备在循环管路110中，但是作为被处理物的过滤中可以使用的纯化装置，并不限于此。被处理物监测部也可以具备在管路中所具备的未图示流体的临时收容罐与罐101不同。中。图2是表示被处理物的过滤中可以使用的纯化装置的另一形态的概略图。纯化装置200具备罐101及过滤装置105，还具备蒸馏塔201，该蒸馏塔201通过罐101与管路202、管路204及管路203连接，且配置成通过上述各管路而能够在该管路与罐101之间输送流体。并且，另一方面，作为被处理物的过滤中可以使用的纯化装置，并非一定要具备过滤装置105和或蒸馏塔201，另一方面，也可以还具备通过管路203与蒸馏塔201连接的反应容器等。另外，当被处理物为过氧化氢水时，也可以不具备通过蒸馏塔201及通过管路203与蒸馏塔201连接的反应容器等。在纯化装置200中，经由管路203供给于蒸馏塔201的流体在蒸馏塔201中被蒸馏。经蒸馏的流体经由管路202而收容于罐101中。供给管路109中具备阀103及阀206，通过与管路204中所具备的阀205的切换，能够使从罐101排出的流体流入过滤装置105中。并且，在纯化装置200中，也能够使从罐101排出的流体再次流入蒸馏塔201中。该情况下，通过上述阀103、阀206及阀205的切换，流体从管路204经由阀207及管路203而流入蒸馏塔201中。作为纯化装置的接液部对接液部的定义将后述。的材料，并没有特别限制，从能够进一步减少被处理物的异物的方面考虑，优选由选自包括非金属材料及经电抛光的金属材料的组中的至少1种形成。另外，在本说明书中，“接液部”是表示，在具有流体接触的可以能性的部位例如，罐的内表面及管路的内表面等且从其表面起厚度为100nm的区域。作为上述非金属材料，并没有特别限定，优选为聚乙烯树脂、聚丙烯树脂及聚乙烯-聚丙烯树脂等聚烯烃树脂，以及全氟树脂等含有氟的树脂材料，从金属原子的溶出较少的观点考虑，优选含有氟的树脂。作为含有氟的树脂，可以举出全氟树脂等，可以举出四氟乙烯树脂PTFE、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物PFA、四氟乙烯-六氟丙烯共聚树脂FEP、四氟乙烯-乙烯共聚物树脂ETFE、三氟氯乙烯-乙烯共聚树脂ECTFE、二氟亚乙烯树脂PVDF、三氟氯乙烯共聚树脂PCTFE及氟乙烯树脂PVF等。其中，作为含有氟的树脂，优选为四氟乙烯树脂、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物或四氟乙烯-六氟丙烯共聚树脂。作为上述金属材料，并没有特别限制，能够使用公知的材料。作为金属材料，例如，可以举出是铬和镍含量的总计相对于金属材料总质量超过25质量％的金属材料，其中，优选为30质量％以上。作为金属材料中的铬和镍含量的总计的上限值，并没有特别限制，一般优选为90质量％以下。作为金属材料，例如，可以举出不锈钢及镍-铬合金等。作为不锈钢，并没有特别限制，能够使用公知的不锈钢。其中，优选含有8质量％以上的镍的合金，更优选含有8质量％以上的镍的奥氏体不锈钢。作为奥氏体不锈钢，例如，可以举出SUS钢材使用不锈钢SteelUseStainless304Ni含量8质量％、Cr含量18质量％、SUS304LNi含量9质量％、Cr含量18质量％、SUS316Ni含量10质量％、Cr含量16质量％及SUS316LNi含量12质量％、Cr含量16质量％等。作为镍-铬合金，并没有特别限制，能够使用公知的镍-铬合金。其中，优选镍含量为40～75质量％、铬含量为1～30质量％的镍-铬合金。作为镍-铬合金，例如，可以举出Hastelloy商品名，以下相同。、Monel商品名，以下相同及Inconel商品名，以下相同等。更具体而言，可以举出HastelloyC-276Ni含量63质量％、Cr含量16质量％、Hastelloy-CNi含量60质量％、Cr含量17质量％、HastelloyC-22Ni含量61质量％、Cr含量22质量％等。并且，镍-铬合金也可以视需要而含有上述合金以外，还含有硼、硅、钨、钼、铜及钴等。作为对金属材料进行电抛光的方法，并没有特别限制，能够使用公知的方法。例如，能够使用日本特开2015-227501号公报的0011～0014段及日本特开2008-264929号公报的0036～0042段等中所记载的方法。金属材料可以推测为是通过电抛光而表面钝化层passivationlayer中铬的含量多于母相中铬的含量的金属材料。因此，从由接液部进行了电抛光的金属材料形成的蒸馏塔中很难流出被处理物中含有金属原子的金属杂质，因此，可以推测为，该金属材料能够得到杂质含量减少的蒸馏完毕的被处理物。另外，金属材料也可以被抛光buffing。抛光方法并没有特别限制，能够使用公知的方法。抛光加工时使用的研磨粒abrasivegrain的尺寸并没有特别限制，但是从容易使金属材料表面的凹凸变得更小的方面考虑，优选#400以下。另外，抛光优选在电抛光之前进行。从能够进一步减少被处理物的异物的方面考虑，优选接液部由经电抛光的不锈钢形成。尤其，当纯化装置具备罐的情况下，更优选由罐的接液部进行了电抛光的不锈钢形成。作为接液部中的Cr的含量与Fe的含量的含有质量比以下，还称为“CrFe”。，并没有特别限制，一般优选为0.5～4，其中，从在被处理物中金属杂质和或有机杂质更难以溶出的方面考虑，更优选超过0.5且小于3.5，更优选0.7以上且3.0以下。若CrFe超过0.5，则能够抑制来自罐内的金属溶出，若CrFe小于3.5，则不易发生成为颗粒原因的接液部的剥离等。作为调整上述金属材料中的CrFe的方法，并没有特别限制，可以举出调整金属材料中的Cr原子含量的方法，及通过电抛光而使抛光表面钝化层中铬的含量多于母相中铬的含量的方法等。金属材料也可以适用皮膜技术。皮膜技术中可以大致分为金属被覆各种电镀、无机被覆各种化学转化处理、玻璃、混凝土及陶瓷等及有机被覆防锈油、涂料、橡胶及塑胶等这3种类型。作为优选的皮膜技术，可以举出基于防锈油、防锈剂、腐蚀抑制剂、螯合化合物、可以剥离性塑胶或衬里剂进行的表面处理。其中，优选各种铬酸盐、亚硝酸盐、硅酸盐、磷酸盐、油酸酸、二聚酸、环烷酸等羧酸、羧酸金属皂、磺酸盐、胺盐、酯高级脂肪酸的甘油酯及磷酸酯等等腐食抑制剂、乙二胺四乙酸、葡糖酸、氮基三乙酸、羟乙基乙二胺三乙酸、二乙烯三胺五乙酸等螯合化合物或氟树脂衬里，尤其优选磷酸盐处理或氟树脂衬里。上述纯化装置通过具备过滤装置105，能够进一步减少被处理物的异物。作为过滤装置105所含有的过滤部件，并没有特别限制，但是优选为选自包括粒子去除直径particle-eliminatingdiameter为20nm以下的过滤器及金属离子吸附过滤器的组中的至少1种，更优选为粒子去除直径为20nm以下的过滤器且为金属离子吸附过滤器。··粒子去除直径为20nm以下的过滤器粒子去除直径为20nm以下的过滤器具有从被处理物中有效地去除直径为20nm以上的粒子的功能。另外，作为过滤器的粒子去除直径，优选为1～15nm，更优选为1～12nm。若粒子去除直径为15nm以下，则能够去除更微细的粒子，若粒子去除直径为1nm以上，则提高过滤效率。在此，粒子去除直径是表示过滤器能够去除的粒子的最小尺寸。例如，当过滤器的粒子去除直径为20nm时，能够去除直径为20nm以上的粒子。作为过滤器的材质，例如，可以举出6-尼龙及6,6-尼龙等尼龙、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺以及氟树脂等。聚酰亚胺和或聚酰胺酰亚胺可以是具有选自包括羧基、盐型羧基及-NH-键的组中的至少1个。关于耐溶剂性，氟树脂、聚酰亚胺和或聚酰胺酰亚胺较优异。并且，从吸附金属离子的观点考虑，优选6-尼龙及6,6-尼龙等尼龙。过滤装置105也可以包含多个上述过滤器。当过滤装置105包含多个过滤器时，作为另外的其他过滤器，并没有特别限制，优选粒子去除直径为50nm以上的过滤器例如，孔径为50nm以上的微粒去除用精密过滤膜。当在被处理物中除了存在经胶体化的杂质、尤其含有铁或铝等金属原子的经胶体化的杂质以外还存在微粒时，在使用粒子去除直径为20nm以下的过滤器例如，孔径为20nm以下的精密过滤膜之前，使用粒子去除直径为50nm以上的过滤器例如，孔径为50nm以上的微粒去除用精密过滤膜而实施被纯化物的过滤，由此，提高粒子去除直径为20nm以下的过滤器例如，孔径为20nm以下的精密过滤膜的过滤效率，从而进一步提高粒子的去除性能。··金属离子吸附过滤器上述过滤装置105优选包含金属离子吸附过滤器。作为金属离子吸附过滤器，并没有特别限制，可以举出公知的金属离子吸附过滤器。其中，作为金属离子吸附过滤器，优选能够进行离子交换的过滤器。在此，成为吸附对象的金属离子并没有特别限制，例如，优选选自包括Fe离子、Ni离子、Pt离子、Pd离子、Cr离子、Ti离子及Al离子的组中的1种以上的金属离子，更优选为Fe离子、Ni离子、Pt离子、Pd离子、Cr离子、Ti离子及Al离子等全部金属离子。从提高金属离子的吸附性能的观点考虑，金属离子吸附过滤器优选表面含有酸基。作为酸基，可以举出磺基及羧基等。作为构成金属离子吸附过滤器的基材材质，可以举出纤维素、硅藻土、尼龙、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯及氟树脂等。从吸附金属离子的效率的观点考虑，尤其优选尼龙。并且，金属离子吸附过滤器也可以由含有聚酰亚胺和或聚酰胺酰亚胺的材质构成。作为上述金属离子吸附过滤器，例如，可以举出日本特开2016-155121号公报JP2016-155121中所记载的聚酰亚胺和或聚酰胺酰亚胺多孔质膜。上述聚酰亚胺和或聚酰胺酰亚胺多孔质膜也可以是含有选自包括羧基、盐型羧基及-NH-键的组中的至少1个。若金属离子吸附过滤器包含氟树脂、聚酰亚胺和或聚酰胺酰亚胺，则具有更加优异的耐溶剂性。··有机杂质吸附过滤器过滤装置105还可以包含有机杂质吸附过滤器。作为有机杂质吸附过滤器，并没有特别限制，可以举出公知的有机杂质吸附过滤器。其中，作为有机杂质吸附过滤器，从提高有机杂质的吸附性能的方面考虑，优选在表面具有能够与有机杂质相互作用的有机物骨架换句话说，通过能够与有机杂质相互作用的有机物骨架而表面被改质。作为能够与有机杂质相互作用的有机物骨架，例如，可以举出与有机杂质发生反应而能够使有机杂质被有机杂质吸附过滤器捕捉的化学结构。更具体而言，作为有机杂质，当包含n-长链烷基醇作为有机溶剂而使用1-长链烷基醇时的结构异构物时，作为有机物骨架可以举出烷基。并且，作为有机杂质而包含二丁基羟基甲苯BHT时，作为有机物骨架可以举出苯基。作为构成有机杂质吸附过滤器的基材材质，可以举出携带活性炭的纤维素、硅藻土、尼龙、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯及氟树脂等。并且，有机杂质吸附过滤器中也能够使用日本特开2002-273123号公报及日本特开2013-150979号公报中记载的将活性炭固定于不织布而成的过滤器。作为有机杂质吸附过滤器，除了适用上述所示的化学吸附使用了在表面具有能够与有机杂质相互作用的有机物骨架的有机杂质吸附过滤器的吸附以外，也能够适用物理吸附方法。例如，当作为有机杂质而包含BHT时，BHT的结构大于10埃＝1nm。因此，通过使用孔径为1nm的有机杂质吸附过滤器，BHT无法通过过滤器的孔。即，BHT通过过滤器而被物理捕捉，因此从被纯化物中去除。这样，有机杂质的去除不仅可以适用化学性的相互作用，也可以适用物理去除方法。其中，该情况下，3nm以上孔径的过滤器被用作“粒子去除过滤器”，小于3nm孔径的过滤器被用作“有机杂质吸附过滤器”。再次重复说明，使用过滤器时也可以组合不同过滤器。作为组合不同过滤器的方式，例如，可以举出组合上述那样的第1过滤器及第2过滤器的方法。此时，第1过滤器中的过滤可以仅进行1次，也可以进行2次以上。当组合不同过滤器而进行2次以上过滤时，各过滤器可以是彼此相同的种类，也可以是彼此不同的种类，但是优选为彼此种类不同的过滤器。典型地，第1过滤器和第2过滤器优选孔径及构成原材料中的至少一者不同。第2次以后的过滤孔径优选与第1次的过滤孔径相同或比其小。并且，也可以在上述范围内组合不同孔径的第1过滤器。在此的孔径能够参照过滤器制造商的标称值。作为市售的过滤器，例如，能够从NIHONPALLLTD.、ToyoRoshiKaisha,Ltd.、NihonEntegrisK.K.旧JapanMicrolisCo.,Ltd.或KITZMICROFILTERCORPORATION等所提供的各种过滤器中选择。并且，也能够使用聚酰胺制的“P-尼龙过滤器-孔径0.02μm、临界表面张力77mNm”；NIHONPALLLTD.制、高密度聚乙烯制的“PE·洁净过滤器孔径0.02μm”；NIHONPALLLTD.制及高密度聚乙烯制的“PE·洁净过滤器孔径0.01μm”；NIHONPALLLTD.制。从能够进一步减少被处理物的异物的方面考虑，纯化装置优选通过清洗液而被预先清洗。该方法中，从罐101的供给口102供给清洗液。作为清洗液的供给量并没有特别限制，优选为能够充分清洗罐101的接液部程度的量，作为所供给的清洗液的容量，相对于罐101的容量优选为30体积％以上。当从供给口102供给清洗液时，阀103可以关闭，也可以开启，但是从更容易清洗罐101的方面，从供给口102供给清洗液时，优选关闭阀103。向罐101供给的清洗液也可以直接在纯化装置内进行输送，也可以在罐101内进行清洗之后，在纯化装置内例如，通过供给管路109进行输送。作为使用清洗液清洗罐101内的方法并没有特别限制，例如，可以举出使罐101所具备的未消图示的搅拌叶片旋转而进行清洗的方法。作为使用清洗液清洗罐的时间并没有特别限制，根据罐101的接液部的材料及污染可以能性等而适当选择即可以。一般优选为0.1秒～48小时左右。另外，当仅清洗罐101时，例如，可以从设置于罐底部的未图示的排出口排出清洗后的清洗液。作为使用清洗液清洗纯化装置100的供给管路109等的方法，并没有特别限制，优选在打开阀103及阀106且关闭阀107的基础上运行泵104，从而使清洗液通过供给管路109及循环管路110而在纯化装置内循环的方法以下，还称为“循环清洗”。。通过设为上述那般，能够输送清洗液的同时，将附着在罐101、过滤装置105及供给管路109等的接液部的异物等，通过清洗液有效地分散和或更加有效地使其溶解于该清洗液中。尤其，当纯化装置具备过滤装置时，作为清洗方法，优选循环清洗。利用图1说明循环清洗的例子。首先，从罐101经由阀103而供给至纯化装置内的清洗液，通过供给管路109经由过滤装置105、循环管路110及阀106而再次返回至罐101进行循环。此时，清洗液被过滤装置105过滤，溶解分散于清洗液中的粒子等被去除，能够进一步提高清洗效果。作为清洗方法的其他方式，例如，也可以使用在打开阀103及阀107且关闭阀106的基础上运行泵104，使从罐101的供给口102供给至纯化装置内的清洗液通过阀103及泵104而流入过滤装置105中，然后，不使清洗液进行循环而经由阀107排出至纯化装置外的方法在本说明书中，以下将该方法还称为“间歇清洗”。。该情况下，清洗液可以如上所述，使一定量断续地供给至纯化装置内，也可以连续地供给至纯化装置内。·第4工序中的过滤当在第4工序中实施过滤时，除上述方法以外，优选还通过下述方法实施过氧化氢组合物的过滤。另外，在第1工序中，也可以实施通过下述方法进行的过滤。作为过滤器，只要是一直以来在过滤用途等中使用的过滤器，则能够没有特别限定地使用。例如可以举出基于聚四氟乙烯PTFE及四氟乙烯全氟烷基乙烯基醚共聚物PFA等氟树脂、尼龙等聚酰胺系树脂以及聚乙烯及聚丙烯PP等聚烯烃树脂包含高密度、超高分子量等的过滤器。这些材料中，优选选自包括聚乙烯、聚丙烯包含高密度聚丙烯、PTFE及PTA等氟树脂以及尼龙等聚酰胺系树脂的组中的材料，其中，更优选PTFE及PTA等氟树脂过滤器。通过使用由这些材料形成的过滤器，能够有效地去除容易成为半导体基板的缺陷残渣缺陷或颗粒缺陷的原因的极性高的异物，除此以外，还能够有效地减少本申请发明的特定金属成分的量。作为过滤器的临界表面张力，优选为70mNm以上，更优选为95mNm以下，进一步优选为75mNm以上且85mNm以下。另外，临界表面张力的值为制造商的标称值。通过使用临界表面张力为上述范围的过滤器，能够有效地去除容易成为半导体基板的缺陷残渣缺陷和颗粒缺陷的原因的极性高的异物，除此以外，还能够有效地减少本申请发明的特定金属成分的量。在一种形态中，过滤器的孔径优选为2～20nm左右，更优选为2～15nm。通过设为该范围，能够抑制过滤堵塞，并且能够确实地去除过氧化氢组合物中所含的杂质或凝聚物等微细的异物，除此以外，还能够有效地减少本申请发明的特定金属成分的量。使用过滤器时，也可以组合不同过滤器。此时，在第1过滤器中的过滤可以仅进行1次，也可以进行2次以上。当组合不同过滤器而进行2次以上过滤时，优选第2次以后的过滤孔径与第1次的过滤孔径相同或比其小。并且，也可以在上述范围内组合不同孔径的第1过滤器。在此的孔径能够参照过滤器制造商的标称值。作为市售的过滤器，例如，能够从NIHONPALLLTD.、ToyoRoshiKaisha,Ltd.、NihonEntegrisK.K.旧JapanMicrolisCo.,Ltd.或KITZMICROFILTERCORPORATION等所提供的各种过滤器中选择。并且，也能够使用聚酰胺制的“P-尼龙过滤器-孔径0.02μm、临界表面张力77mNm”；NIHONPALLLTD.制、高密度聚乙烯制的“PE·洁净过滤器孔径0.02μm”；NIHONPALLLTD.制及高密度聚乙烯制的“PE·洁净过滤器孔径0.01μm”；NIHONPALLLTD.制。第2过滤器能够使用由与上述第1过滤器相同材料等形成的过滤器。第2过滤器的孔径优选为1～10nm左右。并且，在本发明中，过滤工序优选在室温25℃以下进行。更优选为23℃以下，进一步优选为20℃以下。并且，优选为0℃以上，更优选为5℃以上，进一步优选为10℃以上。过滤工序中能够去除粒子性的异物及杂质，若为上述温度，则溶解于过氧化氢组合物中的上述粒子性的异物和或杂质的量减少，因此通过过滤而有效地被去除。尤其，当过氧化氢组合物含有超过本申请所期望的量的、含有选自包括Ni、Pt、Pd、Cr、Ti及Al的组中的特定原子的金属成分时，优选以上述温度进行过滤。机理虽不明确，但是可以认为是，当在过氧化氢组合物中包含含有选自包括Ni、Pt、Pd、Cr、Ti及Al的组中的特定原子的金属成分时，金属成分其多数以粒子性的胶体状态存在。可以认为是，若以上述温度进行过滤，则以胶体状悬浮的金属成分的一部分凝聚，因此该凝聚物通过过滤被有效地去除，容易调整为本申请所期望的量。并且，所使用的过滤器优选在过滤过氧化氢组合物之前进行处理。该处理中所使用的液体并没有特别限定，但是优选金属含有率小于0.001质量ppt兆分之一partspertrillion，例如，除上述水以外，还可以举出纯化其他有机溶剂而使金属含量成为上述范围的液体、本发明组合物其本身事先进行了调整的液体或将其稀释而成的液体，或进一步纯化本发明的组合物而更加减少金属成分、杂质或粗大粒子等而成的液体。利用上述那种降低了金属含有率的液体而对过滤器进行前处理，由此明显得到本发明所期望的效果。第4工序中的过氧化氢组合物的纯化工序优选组合上述各纯化方法而实施。经由上述第1工序至第4工序，能够获得实现高纯度化至在半导体器件的制造中可以使用程度的本发明的组合物。另外，本发明的组合物如上。并且，本发明的组合物所含的酸可以是通过蒽醌法进行的过氧化氢的合成过程中副生成的邻苯二甲酸类等酸，并且，也可以是在上述第4工序中或上述第4工序后另外添加的酸。从组合物的纯度及从使本发明的效果更进一步优异的观点考虑，优选在第4工序中向组合物中添加酸成分优选为磷酸或磷酸衍生物，更优选在添加该酸成分之后进一步进行纯化工序。＜定量方法＞并且，水或溶剂、原料成分或本发明的组合物等中所含的酸成分或蒽醌类化合物的各种定量，能够通过离子层析法来进行分析。并且，水或溶剂、原料成分或本发明的组合物等中所含的Fe成分或金属成分的各种定量，能够通过ICP-MS法电感耦合等离子体质谱法inductivelycoupledplasmamassspectrometry，作为测定装置，例如能够使用YokogawaAnalyticalSystems,Inc.制，Agilent7500cs型。等来进行分析。ICP-MS法中，作为金属原子的总质量即金属离子离子性金属和金属粒子非离子性金属的总计质量还称为“总金属量”。而进行定量。并且，根据最近开发的SNP-ICP-MS单纳米粒子-电感耦合等离子体质谱法SingleNanoParticle-InductivelyCoupledPlasma-MassSpectrometry测定，能够将存在于液体中的金属原子的量分为金属离子离子性金属和金属粒子非离子性金属而进行测定。在此，金属粒子非离子性金属是指不溶解于溶液中而作为固体存在的成分。迄今为止，半导体制造用处理液等中所含的金属原子的量通常通过ICP-MS法等来进行分析，而通过ICP-MS法等先前方法无法识别衍生自金属原子的离子性金属和金属粒子非离子性金属，因此，作为金属原子的总质量即离子性金属和粒子性金属非离子性金属的总计质量以下，还称为“总金属量”等。而进行定量。在半导体制造用处理液中作为杂质而含有的金属原子成为在微细图案和微细的半导体元件中产生缺陷的主要原因之一。因此，一直认为在半导体制造用处理液中所含的金属原子的量越少越佳。然而，本发明人发现，处理液中所含的金属原子的量与缺陷的产生率未必相关，缺陷的产生率中具有产生偏差。本发明人对如下影响进行了锐意研究，即，能够通过使用了SNP-ICP-MS法的测定而进行识别并定量的衍生自半导体制造用处理液中所含的金属原子的离子性金属和金属粒子非离子性金属各自对缺陷带来的影响。其结果，是发现金属粒子非离子性金属量对缺陷产生的影响极大，金属粒子非离子性金属量与缺陷产生之间具有相关关系。作为SNP-ICP-MS法的装置，例如，能够使用AgilentTechnologiesJapan,Ltd.制，Agilent8800三重四极ICP-MSinductivelycoupledplasmamassspectrometry，半导体分析用，选项option#200而通过记载于实施例中的方法来进行测定。除上述以外，还可以举出PerkinElmerCo.,Ltd.制NexION350S，以及AgilentTechnologiesJapan,Ltd.制Agilent8900。在本发明的组合物中，从改进缺陷性能及确保经时稳定性的观点考虑，通过SNP-ICP-MS法测定时的Fe粒子非离子金属的含量相对于组合物总质量，优选为0.01质量ppt～0.1质量ppb。并且，当在本发明的组合物中包含含有选自包括Ni、Pt、Pd、Cr、Ti及Al的组中的特定原子的金属成分，且上述金属成分含有金属粒子非离子金属时，从改进缺陷性能及确保经时稳定性的观点考虑，本发明组合物中的上述金属粒子的含量按照各特定原子分别相对于组合物总质量，优选为0.01质量ppt～100质量ppt，更优选为0.01质量ppt～50质量ppt，进一步优选为0.01质量ppt～10质量ppt。即，当本发明的组合物例如仅含有Pt粒子时，Pt粒子成为上述数值范围。另一方面，当本发明的组合物例如含有Pt粒子及Ni粒子时，Pt粒子及Ni粒子分别成为上述数值范围。另外，上述金属粒子的含量是通过上述SNP-ICP-MS法而测定的值。包含本发明组合物的制备、收容容器的打开及封闭和或清洗、组合物的填充等在内的处理、处理分析及测定，优选均在洁净室cleanroom进行。优选洁净室满足14644-1洁净室基准。优选满足ISO国际标准组织1级、ISO2级、ISO3级、ISO4级中的任一者，更优选满足ISO1级、ISO2级，进一步优选为ISO1级。＜有机杂质＞另外，有机杂质含量的测定中有时还使用气相层析-质谱装置产品名“GCMS-2020”、SHIMADZUCORPORATION制。并且，虽没有特别限制，但是当有机杂质为高分子量化合物时，可以通过Py-QTOFMS热解器四极飞行时间型质谱、Py-ITMS热解器离子阱型质谱、Py-SectorMS热解器磁场型质谱、Py-FTICRMS热解器傅立叶转换离子阱型质谱、Py-QMS热解器四极型质谱及Py-IT-TOFMS热解器离子阱飞行时间型质谱等方法，从分解物中进行结构的识别及浓度的定量。例如，Py-QTOFMS能够使用如SHIMADZUCORPORATION制的装置。＜杂质及粗大粒子＞并且，本发明的组合物优选实质上不含粗大粒子。另外，本发明的组合物中所含的粗大粒子是指，在原料中作为杂质而含有的灰尘、污垢、有机固体物质或无机固体物质等粒子，在组合物的制备中作为污染物而带有的灰尘、污垢、有机固体物质或无机固体物质等粒子，相当于最终不溶解于本发明的组合物中而作为粒子存在的物质。存在于本发明的组合物中的粗大粒子的量，能够利用以雷射为光源的光散射式液体粒子测定方式中的市售的测定装置，在液相中进行测定。＜试剂盒和浓缩液＞本发明的组合物也可以作为另外添加其他原料的试剂盒。该情况下，作为使用时另外添加的其他原料，除水及有机溶剂等溶剂以外，还能够按照用途混合其他化合物来使用。从明显得到本发明的效果的观点考虑，此时可以使用的溶剂中，若溶剂中所含的Fe成分或金属成分的各含有率的范围是与上述本发明组合物中的特定值的范围相同，则即便是试剂盒和浓缩液，也可以明显得到本发明所期望的效果。＜用途＞本发明的组合物可以在半导体器件的制造中优选地被使用。本发明的组合物能够在制造半导体器件的任一工序中使用，具体而言，可以在包括光刻工序、蚀刻工序、离子注入工序或剥离工序等的半导体器件的制造工序中，在各工序结束后或移动到下一工序前，作为用于处理有机物或无机物的处理液而使用，具体而言，可以作为清洗液、去除液或剥离液等而优选地被使用。当将本发明的组合物用于半导体器件的制造中时，并没有特别限定，例如，可以优选地用于以去除硅基板上的无机金属离子的目的而与盐酸进行混合，并通过被称为SC-2标准清洁StandardClean2的药液处理而从硅基板去除金属离子的情况。并且，可以优选地用于以去除硅基板上的颗粒的目的而与氨进行混合，并通过被称为SC-1标准清洁1的药液处理而从硅基板去除硅颗粒的情况。而且，可以优选地用于以去除基板上的抗蚀层的目的而与硫酸进行混合，并通过被称为SPM硫酸过氧化氢混合物SulfuricAcidHydrogenPeroxideMixture的药液处理而从半导体基板上去除抗蚀层的情况。另外，在此所说的抗蚀层的去除还包含抗蚀膜、蚀刻残留物、反射防止膜及灰化残留物的去除。蚀刻残留物是表示对抗蚀层进行蚀刻处理时产生的残留物，灰化残留物是表示对抗蚀层进行灰化处理时产生的残留物。并且，本发明的组合物还能够优选地使用于除半导体制造用以外的其他用途中。例如，还能够作为聚酰亚胺、感测器用抗蚀层或透镜用抗蚀层等的清洗液、剥离液或去除液而使用。并且，能够使用于上述以外的清洗用途中，能够优选地使用于容器、配管或基板例如，晶圆或玻璃等等的清洗。并且，还能够使用于有机过氧化物或无机过氧化物的原料；有机化合物的原料；环氧化合物的原料；纸张、浆料及木材等的漂白；纤维的原料；纤维的漂白；熔炼工序中的金属的氧化剂；食品和医药等的原料；制造设备或容器的清洗剂或杀菌剂等各种用途中。〔组合物收容体〕本发明的组合物收容体具有保管容器及收容于上述保管容器内的上述本发明的组合物，上述保管容器的与上述组合物接触的区域由以非金属为主成分的材料形成。另外，在此的主成分是表示，构成规定成分所接触的区域的80质量％以上。作为保管容器，只要与本发明的组合物接触的区域由以非金属为主成分的材料形成，则其形态并没有特别限定，能够填充在任意容器中而进行保管、搬运及使用。作为容器，针对半导体用途而优选容器内的洁净度高、杂质的溶出少的容器。作为能够使用的容器，可以举出AICELLOCORPORATION制的“Cleanbottle”系列、KODAMAPLASTICSCo.,Ltd.的“Purebottle”等，但是并不限定于这些。该容器的与本发明组合物接触的区域，例如其收容部的内壁或本发明组合物的流路由以非金属为主成分的材料形成，从防止伴随容器的过度亲和性引起的来自容器的溶出物污染的观点考虑，优选由选自包括高密度聚乙烯HDPE、四氟乙烯全氟烷基乙烯基醚共聚物PFA及聚四氟乙烯PTFE的组中的材料形成。其中，更优选由与水的接触角为60～120°且以非金属为主成分的材料形成，进一步优选氟系树脂全氟树脂。尤其，通过使用上述那样的与本发明的组合物接触的区域为氟系树脂的保管容器，与使用与本发明的组合物接触的区域为聚乙烯树脂、聚丙烯树脂或聚乙烯-聚丙烯树脂的保管容器时相比，能够抑制乙烯或丙烯低聚物的溶出此种不良情况的产生，因此优选。作为与本发明的组合物接触的区域为氟系树脂的容器的具体例，例如，可以举出EntegrisCo.,Ltd.制FluoroPurePFA复合桶等。并且，还能够使用日本特表平3-502677号公报的第4页等、国际公开第2004016526号小册子的第3页等、国际公开第9946309号小册子的第9页及第16页等，等中记载的容器。这些容器优选在填充前对容器内部进行清洗。该清洗中所使用的液体并没有特别限定，优选金属含有率小于0.001质量ppt兆分之一。并且，按照用途，例如，除上述水以外，还通过将纯化其他有机溶剂而使金属含量成为上述范围的液体、本发明的组合物其本身或将其稀释而成的液体，或进一步纯化本发明的组合物而更加减少金属成分、杂质或粗大粒子等而成的液体用于清洗中，从而可以明显得到本发明所期望的效果。并且，在清洗容器之前，如用酸或有机溶剂清洗各种容器的盖而去除附着在盖的异物，由此防止来自盖的异物的混入，因此优选。并且，本发明的组合物可以在制造后装瓶于加仑瓶或涂覆瓶等容器中而进行输送、保管。加仑瓶可以是使用玻璃材料而成，也可以是使用除此以外而成。当保管本发明的组合物时，以防止保管时组合物中成分的变化为目的，可以将容器内以纯度99.99995体积％以上的惰性气体氮气或氩气等置换。尤其，优选含水率少的气体。并且，在进行输送或保管时，温度并没有特别限定，为了防止变质，可以将温度控制在-20℃至20℃的范围内。实施例以下，根据实施例对本发明更详细地进行说明。以下的实施例所示的材料、使用量、比例、处理内容、处理步骤等，只要不脱离本发明的宗旨，则能够进行适当变更。因此，本发明的范围并不应由以下所示的实施例而限定性地解释。＜原料等的纯化＞以下所示的各实施例中使用的各原料、各催化剂，使用纯度为99％以上的高纯度等级，进而事先通过蒸馏、离子交换及过滤等来进行纯化而成。实施例中使用的超纯水，是通过日本特开2007-254168号公报中所记载的方法进行纯化，通过后述的由通常的ICP-MS法进行的测定，将Na、Ca及Fe各自的原子含有率设为小于10质量ppt。实施例及比较例的组合物以下，还称为“过氧化氢组合物”的制备、填充、保管及分析测定，均在满足ISO2级以下水平的洁净室中进行。并且，所使用的容器在利用本发明的组合物事先进行清洗之后使用。为了提高测定精度，在金属成分含量的测定及水含量的测定中，在通常测定中对于检测极限以下的测定，以体积换算浓缩到100分的1来进行测定，并换算成浓缩前组合物的浓度而进行了含量计算。＜＜实施例1＞＞〔过氧化氢组合物的制备〕通过实施下述所示的第1工序～第4工序，制备出过氧化氢组合物。第1工序：原料纯化工序第1工序中，使成为原料的2-乙基蒽醌在填充于管柱的阳离子交换树脂中通过，重复进行直至原料中所含的金属离子浓度成为1质量ppm。然后，单离出2-乙基蒽醌。第2工序：过氧化氢合成工序向2-乙基蒽醌溶解于苯而得到的溶液中添加Pt催化剂，从而得到悬浮液。接着，通过使氢与所得的悬浮液接触而在Pt催化剂下将2-乙基蒽醌氢化，从而生成2-乙基蒽氢醌。另外，通过过滤所得的组合物而去除了催化剂。然后，通过使空气中的氧与所得的组合物接触而将2-乙基蒽氢醌氧化，从而生成2-乙基蒽醌及过氧化氢。第3工序：过氧化氢分离工序用水萃取上述第2工序中生成的过氧化氢并将其单离，从而获得过氧化氢水溶液过氧化氢组合物。第4工序：过氧化氢组合物纯化工序在实施上述第3工序之后，用阳离子交换树脂纯化过氧化氢水溶液。由此，去除了含有过氧化氢水溶液中所含的铝、钾、镁、钠等原子的金属成分。阳离子交换树脂中使用了将磺酸基-SO3H作为离子交换基的强酸性阳离子交换树脂。在目前为止的工序中，过氧化氢水溶液中所含的金属离子浓度为1质量ppb左右。然后，使用平均孔径为0.001～0.01μm以下的PTFE聚四氟乙烯过滤器过滤所得的过氧化氢水溶液，并进一步降低了金属原子浓度。接着，向该过氧化氢水溶液中添加磷酸。然后，使过氧化氢水溶液与阴离子交换树脂和阳离子交换树脂的混合床接触。由此，确认到过氧化氢水溶液中的金属离子浓度为ppt级。〔评价〕接着，对所得的过氧化氢水溶液过氧化氢组合物实施了下述所示的各种评价。组合物中的Fe成分的测定在ICP-MS分析表示通常的ICP-MS分析，而非SNP-ICP-MS分析中，将分析软体替代为作为后述的ICP-MS分析装置的分析软体，除此以外，以与后述的SNP-ICP-MS分析相同的方法测定了各原子的浓度。另外，在Fe成分中，Fe粒子的量通过后述的SNP-ICP-MS分析而测定，Fe离子的量能够通过如下来算出，即，从通过ICP-MS分析测定的Fe成分的量总金属量中，减去通过SNP-ICP-MS分析而测定的Fe粒子的量。SNP-ICP-MS单纳米粒子-电感耦合等离子体质谱法测定《Fe粒子含有率的测定》关于Fe粒子的含有率，使用PerkinelmerCo.,Ltd.制“Nexion350S”进行了测定。1标准物质的准备就标准物质而言，向清洁的玻璃容器内计量投入超纯水，以使中值粒径为50nm的测定对象金属粒子成为10000个ml浓度的方式进行添加之后，将利用超音波清洗机处理30分钟而得的分散液用作了输送效率测定用的标准物质。2测定条件使用PFA制同轴型雾化器另外，“PFA”是指四氟乙烯与全氟烷基乙烯基醚的共聚物。、石英制旋风器型喷雾室、石英制内径1mm火炬注射器TorchInjector，以大约0.2mLmin抽吸了测定对象液。氧添加量为0.1Lmin、电浆输出为1600W、用氨气进行了单元清洗。以时间解析度timeresolution50μs进行了分析。3Fe粒子的含有率使用作为制造商附属的下述分析软体进行了测量。·Fe粒子的含有率：纳米粒子分析“SNP-ICP-MS”专用Syngistix纳米应用模组4Fe原子的含有率使用作为制造商附属的下述分析软体进行了测量ICP-MS分析。Fe原子的含有率：ICP-MS软体用Syngistix。衍生自组合物中其他特定原子Ni、Pt、Pd、Cr、Ti及Al的金属成分的测定测定时使用了Agilent8800三重四极ICP-MS半导体分析用，选项#200。根据上述测定装置，能够将各测定试样中的离子性金属和非离子性金属进行分类，并测定各自的含量。另外，离子性金属的含量和非离子性金属的含量的总和相当于总金属量。·测定条件样品导入系统使用了石英火炬和同轴型PFA全氟烷氧基烷烃雾化器自吸用及铂界面锥形体Platinuminterfacecone。冷电浆条件的测定参数如下。·RF射频RadioFrequency输出W：600·载体气体流量Lmin：0.7·补充气体Make-upgas流量Lmin：1·取样深度mm：18组合物中的酸、蒽醌类化合物的测定组合物中的酸或蒽醌类化合物通过下述方法进行了测定。通过固定相中使用离子交换树脂、移动相溶离液中使用电解质水溶液的液体层析法离子交换层析质谱法进行了测定。离子层析质谱法IC-MS是作为IC检测器而连接有质谱仪的方法。质谱仪中按照质量电荷数mz进行分离，因此离子化法中使用了电洒游离electrosprayionization法ESI，质谱仪中使用了串联质谱仪。而且，使已分离的分子离子在碰撞室Collisioncell中开裂，并检测了所生成的产物离子反映分子离子的结构。过氧化氢组合物的保存稳定性评价通过使了用碘化钾和硫代酸钠的公知的方法滴定刚刚制备后的过氧化氢组合物，并测定了刚刚制备后的过氧化氢组合物的过氧化氢量。并且，将过氧化氢组合物在25℃下静置1週而进行保存后，通过与上述相同的方法，求出过氧化氢组合物中的过氧化氢量残留量。接着，通过下述式计算分解率，并对保存稳定性进行了评价。分解率＝〔刚刚制备后的过氧化氢组合物的过氧化氢量-经时保存后的过氧化氢组合物的过氧化氢的残留量〕刚刚制备后的过氧化氢组合物的过氧化氢量×100评价基准如下。在下述基准中，只要评价为“D”以上，则满足保存稳定性在实用上的要求，优选“C”以上。“A”：过氧化氢的分解率小于5％“B”：过氧化氢的分解率为5％以上且小于10％“C”：过氧化氢的分解率为10％以上且小于20％“D”：过氧化氢的分解率为20％以上且小于30％“E”：过氧化氢的分解率为30％以上过氧化氢组合物的氧化力评价过氧化氢组合物的氧化电位氧化力通过电化学的方法求出。将氢电极作为参照电极并求出此时的OCP开路电位OpenCirkitPotential。评价基准如下。“A”：氧化力为1.8mV以上“B”：氧化力为1.6mV以上且小于1.8mV“C”：氧化力小于1.6mV过氧化氢组合物的缺陷性能附着在半导体基板的缺陷数的测定在晶圆上利用表面检查装置SP-5；KLATencor制，测量了存在于直径为300mm的硅氧化膜基板表面的直径为32nm以上的颗粒以下，还将此称为“缺陷”。数。接着，将该硅氧化膜基板设置于旋转喷射装置，使其一边旋转，一边向该硅氧化膜基板的表面以1.5Lmin的流速喷射所得的过氧化氢组合物。然后，进行冲洗处理并进行了干燥。对于所得的试样，再次使用上述装置SP-5测量存在于硅氧化膜基板表面的缺陷数，并将与初始值的差量作为缺陷数。将根据下述基准对所得的缺陷数进行评价而得的结果示于表1。在下述基准中，只要评价为“C”以上，则会实现作为半导体器件制造用处理液所要求的缺陷的抑制能力。“A”：缺陷数为0以上且50以下“B”：缺陷数超过50且为100以下“C”：缺陷数超过100且为500个以下“D”：缺陷数超过500且为1000个以下“E”：缺陷数超过1000个＜＜实施例2～23、比较例1、比较例2＞＞以获得下述表1所示的组成的过氧化氢组合物的形态，改变上述实施例1的过氧化氢组合物的制备方法及使用材料而制备出实施例2～23、比较例1及比较例2的过氧化氢组合物，并进行了相同的评价。将结果示于表1。另外，在表1中，例如10^-1表示“10的-1次方”0.1。并且，例如，10^1表示“10的1次方”10。并且，表1中的“酸”除了包含第4工序中添加的磷酸以外，还包含作为蒽醌的分解产物而生成的邻苯二甲酸衍生物。并且，关于第1表中的D及E栏的各种金属成分，表示总金属量。并且，表2表示表1的金属成分的组成，具体而言，分开显示金属离子离子金属和金属粒子非离子金属。另外，在表2中，金属粒子非离子金属是通过“SNP-ICP-MS”进行了测定的各种金属粒子。根据表1的结果确认到，根据实施例的过氧化氢组合物，保存稳定性优异且适用于半导体器件的制造工序时，对半导体基板的缺陷影响较小。并且，根据实施例1、实施例9、10、11及比较例2的对比确认到，若上述Fe成分的含量相对于组合物总质量为0.1质量ppt～1质量ppb优选为0.1质量ppt～800质量ppt，更优选为0.1质量ppt～500质量ppt，则能够以优异的水平兼顾保存稳定性优异且适用于半导体器件的制造工序时对半导体基板的缺陷影响较小的效果，并且，氧化力也更加优异。并且，根据实施例1、实施例6、7、8及比较例1的对比确认到，若酸的含量相对于组合物总质量为0.01质量ppb～1000质量ppb优选为0.05质量ppb～800质量ppb，更优选为0.05质量ppb～500质量ppb，则能够以优异的水平兼顾保存稳定性优异且适用于半导体器件的制造工序时对半导体基板的缺陷影响较小的效果。并且，根据实施例1、实施例2～5的对比确认到，当含有蒽醌类化合物时，若蒽醌类化合物的含量相对于组合物总质量为0.01质量ppb～1000质量ppb优选为0.05质量ppb～800质量ppb，更优选为0.05质量ppb～500质量ppb，则适用于半导体器件的制造工序时对半导体基板的缺陷影响进一步较小。并且，根据实施例1、实施例12、实施例13的对比确认到，当包含含有选自包括Ni、Pt、Pd、Cr、Ti及Al的组中的特定原子的金属成分时，若上述金属成分的含量按照各特定原子分别相对于组合物总量为0.01质量ppt～1质量ppb优选为0.01质量ppt～800质量ppt，更优选为0.01质量ppt～500质量ppt，则适用于半导体器件的制造工序时对半导体基板的缺陷影响进一步较小。并且，根据实施例的结果确认到，当Fe成分的含量相对于酸的含量以质量比计为10-3～10-1时，保存稳定性优异且适用于半导体器件的制造工序时对半导体基板的缺陷影响较小，氧化力也进一步优异。并且，根据实施例的结果确认到，当包含选自包括Ni原子、Pt原子、Pd原子、Cr原子、Ti原子及Al原子的组中的特定金属原子的金属成分含有金属粒子时，若金属粒子的含量分别独立地相对于组合物总量为0.01质量ppt～500质量ppt优选为0.01质量ppt～100质量ppt，更优选为0.01质量ppt～50质量ppt，则适用于半导体器件的制造工序时对半导体基板的缺陷影响进一步较小。另一方面，比较例的过氧化氢组合物中，成为无法兼顾保存稳定性和对半导体基板的缺陷影响的结果。＜＜实施例A1～A3＞＞向将与过氧化氢组合物接触的区域设为下述表3的成分的保管容器中添加实施例1的过氧化氢组合物，在25℃下保管1个月之后，进行了SNP-ICP-MS的测定及缺陷性能的评价。SNP-ICP-MS及缺陷性能的评价测定方法是与实施例1相同。将结果示于表3。另外，下述表3的实施例A1～A3栏中所示的各金属成分的浓度表示保管后的浓度。并且，在表3中，“SNP-ICP-MS”中的测定对象为Fe粒子。另外，与容器的接触角通过接触角仪DM-901KyowaInterfaceScienceCo.,Ltd.制进行了测定。另外，表中，PFA表示四氟乙烯全氟烷基乙烯基醚共聚物，PTFE表示聚四氟乙烯。[表3]根据表3的结果确认到，通过将过氧化氢组合物保存于保管容器内，即使在长期保管后，缺陷性能也优异，该保管容器是与过氧化氢组合物接触的区域由以非金属为主成分的材料形成。＜＜实施例B1～B7＞＞将过氧化氢水实施例B1～B7中使用了实施例1的过氧化氢组合物。实施例B5、B6及B7中使用了在实施例1的过氧化氢组合物中仅将过氧化氢的浓度改变为表4中记载的过氧化氢浓度质量％而成的过氧化氢组合物。和硫酸水硫酸浓度质量％：表4中记载以表4所示的混合比率质量比进行混合，并通过下述表4所示的条件进行了抗蚀层剥离试验。以下示出试验对象的抗蚀层。抗蚀层剥离试验试验晶圆：在硅晶圆上制成10μm的PMERP-CA1000PMTOK制正型抗蚀层的膜，并在下述条件下对相对于该抗蚀层的剥离能力进行了评价。·药液量：200ml.·晶圆尺寸：3cm×3cm·处理方法：将晶圆浸渍在药液中·处理时间1min另外，在表4中，关于实施例B1～B4，将硫酸水事先加热至90℃之后使其与过氧化氢组合物进行混合。并且，关于实施例B5～B7，将硫酸水事先加热至65℃之后使其与过氧化氢组合物进行混合。对于任一实施例，均在混合过氧化氢组合物和硫酸水之后，进而进行加热直至成为“处理温度”之后，使用于抗蚀层的剥离试验。关于抗蚀层剥离性，根据下述评价基准进行了判定。“A”：肉眼观察下显示100％的抗蚀层去除性。“B”：肉眼观察下显示90％以上～小于100％的抗蚀层去除性。“C”：肉眼观察下显示小于90％的抗蚀层去除性。[表4]过氧化氢水硫酸水混合比例处理温度℃光阻剥离性实施例B130％98％1:1＞150A实施例B230％98％2:1＞150A实施例B330％98％3:1＞150A实施例B430％98％1:1＞100A实施例B515％50％1:160B实施例B610％50％1:160C实施例B73％50％1:160C根据上述表4的结果确认到，本发明的过氧化氢组合物能够优选地使用于SPM处理中。＜＜实施例C1～C5、比较例3＞＞将过氧化氢水实施例C1～C3中使用了实施例1的过氧化氢组合物。实施例C4～C5中使用了在实施例1的过氧化氢组合物中仅将过氧化氢的浓度改变为表5中记载的过氧化氢浓度质量％而成的过氧化氢组合物。和氨水氨浓度质量％：表5中记载以表5所示的混合比率质量比进行混合，并在下述条件进行了Si基板上的颗粒去除试验。本实施例中使用的氨水是确认到总金属浓度为10质量ppt以下的高纯度氨水。另外，比较例3中使用的过氧化氢组合物为表1中的比较例2的过氧化氢组合物。另外，对于任一实施例，均在混合过氧化氢组合物和氨水之后，并进行加热直至成为“处理温度”之后，使用于颗粒去除处理中。·颗粒去除试验在TEOS四乙基正硅酸盐基板上涂布各药液，然后以UVison5AppliedMaterials,Inc.制的亮场brightfield的测定模式，对处理前后的缺陷数进行计数。在该计数内进行缺陷分类评价EDAX元素分析，将含有Si的缺陷数设为总颗粒。另外，测定前的TEOS基板上的总颗粒数为200个。对于颗粒去除性，根据下述评价基准进行了判定。“A”：总颗粒数为50个以下“B”：总颗粒数超过50个～100个以下“C”：总颗粒数超过100个～200个以下“D”：总颗粒数超过200个[表5]过氧化氢水氨水混合比例处理温度℃颗粒去除性实施例C130％30％1:160A实施例C230％30％2:160A实施例C330％30％3:160A实施例C410％10％1:145B实施例C53％3％1:135C比较例330％30％1:160D根据上述表5的结果确认到，使用本发明的过氧化氢组合物实施SC-1处理时颗粒去除性优异。＜＜实施例D1～D6、比较例4＞＞将过氧化氢水实施例D1～D6中使用了实施例1的过氧化氢组合物。实施例D5～D6中使用了在实施例1的过氧化氢组合物中仅将过氧化氢的浓度改变为表6中记载的过氧化氢浓度质量％而成的过氧化氢组合物。和盐酸水盐酸浓度质量％：表6中记载以表6所示的混合比率质量比进行混合，并在下述条件下进行了Si基板上的金属去除试验。本实施例中使用的盐酸水是确认到总金属浓度为10质量ppt以下的高纯度盐酸水。另外，比较例4中使用的过氧化氢组合物为表1中的比较例2的过氧化氢组合物。另外，对于任一实施例，均在混合过氧化氢组合物和氨水之后，并进行加热直至成为“处理温度”之后，作为金属离子去除处理液而使用。·金属离子去除试验在TEOS基板上涂布各药液，然后以UVison5AppliedMaterials,Inc.制的亮场的测定模式，对处理前后的缺陷数进行了计数。在该计数内进行缺陷分类评价EDAX元素分析，并将含有除Si以外的金属原子的缺陷数设为总金属离子成分数。另外，测定前的TEOS基板上的金属离子成分数为50个。关于金属离子去除性，根据下述评价基准进行了判定。“A”：金属离子成分为20个以下“B”：金属离子成分超过20个～30个以下“C”：金属离子成分超过30个～50个以下“D”：金属离子成分超过50个[表6]过氧化氢水盐酸水混合比例处理温度℃金属离子去除性实施例D130％37％1:1＞150A实施例D230％37％2:1＞150A实施例D330％37％3:1＞150A实施例D430％37％1:1＞100A实施例D515％10％1:160B实施例D63％3％1:160C比较例430％30％1:160D根据上述表6的结果确认到，使用本发明的过氧化氢组合物实施SC-2处理时金属离子去除性优异。＜＜实施例E1～E4＞＞对基准液是相当于表7中的“处理前”的纯化前液。进行下述表7所示的过滤试验，并确认了过滤后的各种金属Fe成分、Pt成分的总金属浓度及通过SNP-ICP-MS测定的Fe粒子量。另外，基准液是以获得下述表7所示的“处理前”的组成的过氧化氢组合物的方式，改变上述实施例1的过氧化氢组合物的制备方法来制备而得基准液。并且，在各实施例中，所记载的各组成表示经由表7中所记载的过滤工序纯化而成的组成。即，例如实施例E1中，表示用表7中记载的尼龙孔径5nm过滤了处理前的过氧化氢组合物的情况，该结果表示纯化至B蒽醌类化合物的含量为0.1质量ppb、C酸浓度为0.1质量ppb、DFe成分浓度为31质量ppt以及EPt成分浓度为8质量ppt的情况。将结果示于表7。[表7]根据上述表7的结果确认到，通过使用由PTFE及PTA等氟系树脂形成的过滤器，能够有效地减少金属成分的量。符号说明100、200-制造装置，101-罐，102-供给口，103、106、107-阀，104-泵,105-过滤装置，108-容器，109-供给管路，110-循环管路，111-排出部，112-清洗液监测部，113-管路，201-蒸馏塔，202、203、204-管路，205、206、207-阀。

权利要求：1.一种组合物，其含有过氧化氢、酸及Fe成分，所述Fe成分的含量相对于所述酸的含量，以质量比计为10-5～102。2.根据权利要求1所述的组合物，其还含有蒽醌类化合物。3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，所述蒽醌类化合物的含量相对于组合物总质量，为0.01质量ppb～1000质量ppb。4.根据权利要求1至3中任一项所述的组合物，其中，所述酸的含量相对于组合物总质量，为0.01质量ppb～1000质量ppb。5.根据权利要求1至4中任一项所述的组合物，其中，所述Fe成分的总含量相对于组合物总质量，为0.1质量ppt～1质量ppb。6.根据权利要求1至5中任一项所述的组合物，其中，所述Fe成分中所含的Fe粒子的含量相对于组合物总质量，为0.01质量ppt～0.1质量ppb。7.根据权利要求1至6中任一项所述的组合物，其还含有至少1种以上的金属成分，该金属成分含有选自包括Ni、Pt、Pd、Cr、Ti及Al的组中的特定原子，所述金属成分的含量按照各特定原子分别相对于组合物总质量，为0.01质量ppt～10质量ppb。8.根据权利要求1至6中任一项所述的组合物，其还含有至少1种以上的金属成分，该金属成分含有选自包括Ni、Pt、Pd及Al的组中的特定原子，所述金属成分的含量相对于组合物总质量，为0.01质量ppt～1质量ppb。9.根据权利要求2至8中任一项所述的组合物，其中，所述蒽醌类化合物是选自包括烷基蒽醌及烷基四氢蒽醌的组中的至少1种以上。10.根据权利要求9所述的组合物，其中，所述烷基蒽醌为乙基蒽醌或戊基蒽醌，所述烷基四氢蒽醌为乙基四氢蒽醌或戊基四氢蒽醌。11.根据权利要求1至10中任一项所述的组合物，其中，所述酸选自包括磷酸及磷酸衍生物的组中的1种。12.根据权利要求1至11中任一项所述的组合物，其被用作半导体基板的处理液。13.一种组合物收容体，其具有保管容器及收容于所述保管容器内的权利要求1至12中任一项所述的组合物，所述保管容器的与所述组合物接触的区域，是由以非金属为主成分的材料形成的。14.根据权利要求13所述的组合物收容体，其中，所述以非金属为主成分的材料，是选自包括高密度聚乙烯、四氟乙烯全氟烷基乙烯基醚共聚物及聚四氟乙烯的组中的1种。15.根据权利要求13或14所述的组合物收容体，其中，所述以非金属为主成分的材料的与水的接触角为60°～120°。16.一种组合物的制造方法，其为权利要求1至12中任一项所述的组合物的制造方法，其具有：原料纯化工序，对选自溶剂及包含蒽醌类化合物的原料成分的任意1种以上进行纯化；过氧化氢合成工序，在催化剂存在下还原所述蒽醌类化合物而合成蒽氢醌类化合物，进一步氧化所述蒽氢醌类化合物而合成过氧化氢；过氧化氢分离工序，通过萃取所得的过氧化氢而从反应系统中取出；及过氧化氢组合物纯化工序，进一步对含有从反应系统中分离出的过氧化氢的过氧化氢组合物进行纯化。

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