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申请/专利权人：世宗大学校产学协力团;纳诺格特公司
摘要：提供一种利用反常霍尔效应的磁传感器。非磁性金属层设置在铁磁材料之上和之下，以形成与施加的磁场的变化相对应的霍尔电压。所述磁传感器的线性度和饱和磁化取决于所述非磁性金属层的厚度和所述铁磁材料的厚度。另外，提供了一种利用反常霍尔效应的霍尔传感器。非磁性金属层相对于铁磁性层形成，并且构成所述铁磁性层的CoFeSiB的厚度在至的范围内。由于所述非磁性金属层的交界面感应作用，在与交界面垂直的方向上形成易磁化轴。另外，所述霍尔传感器包括具有菱形形状的感测区域、具有线形状的电极线部分和衬垫部分。
主权项：1.一种利用反常霍尔效应的磁传感器，包括：下部非磁性金属层，形成在基底上且具有多晶结构；铁磁性层，形成在所述下部非磁性金属层上，并且在所述铁磁性层中，通过施加磁场产生反常霍尔效应；以及上部非磁性金属层，形成在所述铁磁性层上并且具有多晶结构，其中，所述磁传感器还包括：缓冲层，设置在所述基底与所述下部非磁性金属层之间，以引起所述下部非磁性金属层的多晶结构的形成；其中，所述缓冲层具有在至范围内的厚度并包括钽Ta、钌Ru或钛Ti。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 世宗大学校产学协力团 纳诺格特公司 利用反常霍尔效应的磁传感器和霍尔传感器以及霍尔传感器的制造方法
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