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申请/专利权人：上海鑫雁微电子股份有限公司
摘要：本发明公开了霍尔芯片测试技术领域的针对双路输出的差分霍尔芯片的测试方法，所述测试方法采用的测试结构由模式检测模块、逻辑控制开关、亥姆霍兹线圈、四个霍尔传感头、差分‑差分放大器、迟滞比较器和输出模块组成。采用本发明的结构来测试双路输出的差分霍尔芯片，不再依赖差分线圈，避免了差分线圈剩磁、磁场分布不均匀以及与芯片位置关系、芯片封装误差等引起的测量误差，利用本发明的测试方案配合亥姆霍次线圈测试，使得芯片始终位于磁场分布均匀的磁场中，不再受限上述中位置关系，也不会有剩磁的干扰，大大提高了双路输出的差分霍尔芯片测试精度，从而获得更加可靠准确的测量结果。
主权项：1.针对双路输出的差分霍尔芯片的测试方法，其特征在于：所述测试方法采用的测试结构由模式检测模块、逻辑控制开关、亥姆霍兹线圈、四个霍尔传感头、差分-差分放大器、迟滞比较器和输出模块组成，所述测试方法具体包括如下步骤：1首先通过模式检测模块来判断芯片当前状态，是正常工作模式还是进入测试模式，防止芯片由于外部干扰等原因误动作进入测试模式而影响正常功能。2当芯片处于正常工作模式时，模式检测模块输出低电平“0”给逻辑控制开关模块使能端，此时逻辑控制开关都属于断开状态，芯片正常检测磁场信号；当芯片处于正常工作模式时，模式检测模块输出高电平“1”给逻辑控制开关使能端；3根据TD1和TD2输入信号分别闭合S1、S2、S3、S4四个霍尔传感器上的开关。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海鑫雁微电子股份有限公司 针对双路输出的差分霍尔芯片的测试方法
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