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一种单片集成Switch的射频前端模组及其制备方法 

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申请/专利权人:华南理工大学

摘要:本申请公开了一种单片集成Switch的射频前端模组及其制备方法,本单片集成Switch的射频前端模组包括由下往上依次堆叠设置的衬底、种子层、缓冲层、结构层、支撑层、射频信号‑体声波换能结构、隔离层、沟道层、势垒层和场效应管。本申请通过将Switch集成到射频前端模组,进一步缩小射频前端器件的尺寸。本申请涉及半导体器件与射频前端技术领域。

主权项:1.一种单片集成Switch的射频前端模组,其特征在于,包括:衬底1;种子层2,所述种子层2设置在所述衬底1上;缓冲层,所述缓冲层设置在所述种子层2上;结构层5,所述结构层5设置在所述缓冲层上,所述结构层5中开设有空腔;支撑层6,所述支撑层6设置在所述结构层5上;射频信号-体声波换能结构,所述射频信号-体声波换能结构设置在所述支撑层6上;隔离层10,所述隔离层10设置在所述射频信号-体声波换能结构上;沟道层11,所述沟道层11设置在所述隔离层10上;势垒层12,所述势垒层12设置在所述沟道层11上;场效应管,所述场效应管设置在所述势垒层12上。

全文数据:

权利要求:

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