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申请/专利权人：北京弘图半导体有限公司
摘要：本发明提供一种全贯通深沟槽隔离结构及其制作方法，所述方法包括：提供具有相对的正面与背面的第一衬底，第一衬底正面内形成有浅沟槽隔离结构；形成深沟槽，贯穿浅沟槽隔离结构并向第一衬底内延伸，深沟槽包括贯穿浅沟槽隔离结构的第一沟槽以及第一沟槽下方的第二沟槽；填充无定形硅在第二沟槽内，填充第一隔离材料在第一沟槽内；将第一衬底的正面与第二衬底进行键合；去除部分第一衬底的背面至暴露出第二沟槽，去除第二沟槽内的无定形硅；填充高k介质层在第二沟槽的侧壁和底部，填充第二隔离材料在第二沟槽内。本发明有效地整合了FDTI和BDTI工艺的优点，能有效降低光学和电学串扰，降低像素暗电流，以及增大像素量子效率，达到提升像素性能的目的。
主权项：1.一种全贯通深沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底具有相对的正面与背面，所述第一衬底正面内形成有浅沟槽隔离结构；形成深沟槽，所述深沟槽贯穿所述浅沟槽隔离结构并向所述第一衬底内延伸，所述深沟槽包括贯穿所述浅沟槽隔离结构的第一沟槽以及位于所述第一沟槽下方的第二沟槽；填充无定形硅在所述第二沟槽内，填充第一隔离材料在所述第一沟槽内；提供第二衬底，将所述第一衬底的正面与所述第二衬底进行键合；去除部分所述第一衬底的背面至暴露出所述第二沟槽，去除所述第二沟槽内的所述无定形硅；以及填充高k介质层在所述第二沟槽的侧壁和底部，填充第二隔离材料在所述第二沟槽内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京弘图半导体有限公司 全贯通深沟槽隔离结构及其制作方法
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