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申请/专利权人：深圳市至信微电子有限公司

摘要：本申请提供一种环绕P型屏蔽沟槽场效应管及其制备方法，属于半导体技术领域。该方法包括：对样品的外延层注入P型杂质，形成P‑well层；在P‑well层中注入N型杂质，形成N型源区；在N型源区上进行沟槽蚀刻，形成栅极沟槽；在栅极沟槽中注入P型杂质，形成P型屏蔽区；其中，P型屏蔽区包覆栅极沟槽的底部和栅极沟槽的侧壁，P型屏蔽区的掺杂浓度大于P‑well层的掺杂浓度；在栅极沟槽中沉积栅氧化层和填充层，形成槽栅；对样品进行后端工艺处理，得到SPST场效应管。通过在槽栅的底部和侧壁注入比P‑well层掺杂浓度更高的P型杂质，形成P型屏蔽区保护槽栅，提高了场效应管的抗短路能力。

主权项：1.一种环绕P型屏蔽沟槽场效应管制备方法，其特征在于，所述方法包括：对样品的外延层注入P型杂质，形成P阱区；在所述P阱区中注入N型杂质，形成N型源区；在所述N型源区上进行沟槽蚀刻，形成栅极沟槽；其中，所述栅极沟槽的深度大于所述P阱区的深度；所述在所述N型源区上进行沟槽蚀刻，形成栅极沟槽的步骤，包括：在所述N型源区上沉积一层硬掩膜，得到第二硬掩膜；对所述第二硬掩膜进行光刻，得到沟槽窗口；基于所述沟槽窗口对所述N型源区进行沟槽蚀刻，形成所述栅极沟槽；在所述栅极沟槽中注入P型杂质，形成P型屏蔽区；其中，所述P型屏蔽区包覆所述栅极沟槽的底部和所述栅极沟槽的侧壁，所述P型屏蔽区的掺杂浓度大于所述P阱区的掺杂浓度；所述P型屏蔽区包括槽底屏蔽区和侧墙屏蔽区，所述槽底屏蔽区设置于所述栅极沟槽的底部，所述侧墙屏蔽区设置于所述栅极沟槽两侧的侧壁，所述侧墙屏蔽区连接所述槽底屏蔽区；所述在所述栅极沟槽中注入P型杂质，形成P型屏蔽区的步骤，包括：向所述沟槽窗口注入P型杂质，形成所述槽底屏蔽区；采用蚀刻工艺去除所述第二硬掩膜；在所述槽底屏蔽区和所述N型源区上沉积一层硬掩膜，得到第三硬掩膜；对所述第三硬掩膜进行光刻，得到侧墙窗口；基于所述侧墙窗口对所述P阱区进行沟槽蚀刻，形成侧墙沟槽；其中，所述侧墙沟槽的深度大于或等于所述P阱区的深度；在所述侧墙窗口注入P型杂质，形成所述侧墙屏蔽区；在所述栅极沟槽中沉积栅氧化层和填充层，形成槽栅；对所述样品进行后端工艺处理，得到环绕P型屏蔽沟槽场效应管。

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