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申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司
摘要：提供了一种隔离电容器和用于形成隔离电容的方法。本发明公开了可容易地结合到现有IC制造工序中的各种电容隔离结构。一种用于形成隔离电容的示例性方法实施方案包括：a在集成电路基板的表面上形成凹槽，该凹槽具有底表面；b用绝缘层涂覆底表面；c将底部电极覆盖在绝缘层上；d用具有不小于凹槽深度的一半的最小厚度的块体绝缘体来填充凹槽；以及e将顶部电极沉积在块体绝缘体上方。
主权项：1.一种用于形成隔离电容的方法，其特征在于，所述方法包括：在集成电路基板的表面上形成凹槽，所述凹槽具有底表面；用绝缘层涂覆所述底表面；将底部电极覆盖在所述绝缘层上；用具有不小于所述凹槽深度的一半的最小厚度的块体绝缘体来填充所述凹槽；以及将顶部电极沉积在所述块体绝缘体上方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 半导体元件工业有限责任公司 一种隔离电容器和用于形成隔离电容的方法
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