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申请/专利权人：山东大学
摘要：一种二维SiP2和h‑BN复合结构光电晶体管及制备方法，该复合结构光电晶体管以二维材料SiP2作为沟道材料，在二维SiP2沟道的底面插入h‑BN，并采用硅作为衬底，SiO2作为栅介质层，对硅施加栅压进而调控暗电流；其制备方法包括以下步骤：1将h‑BN纳米薄膜转移到硅衬底上；2将SiP2纳米薄膜定点转移至已置于硅衬底上的h‑BN纳米薄膜表面；3将硅衬底表面均匀旋涂光刻胶，制备底电极的图形；4对底电极的图形进行定位曝光，然后进行显影,暴露出需要蒸镀电极部分；5制备金属电极。本发明利用h‑BN作为衬底减少SiP2表面的缺陷，降低电荷散射，提高光电流，能够获得高的探测率，实现高灵敏的特性。
主权项：1.一种二维SiP2和h-BN复合结构光电晶体管，其特征是，自下至上包括Si衬底、SiO2栅介质层、h-BN纳米薄膜和SiP2纳米薄膜，SiP2纳米薄膜上设置有金属电极，以二维材料SiP2作为沟道材料，在二维SiP2沟道的底面插入h-BN，并采用硅作为衬底，SiO2作为栅介质层，对硅施加栅压进而调控暗电流。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 二维SiP2和h-BN复合结构光电晶体管及制备方法
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