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申请/专利权人：联合微电子中心有限责任公司
摘要：提供了一种用于声学换能器的电学调控方法、声学换能器及其制造方法。声学换能器包括薄膜结构，薄膜结构包括底电极、设置于底电极上的第一压电层以及设置于第一压电层上的第一电极层，方法包括：在声学换能器作为声学传感器操作时，通过第一中心电极和第一边缘电极中的第一者采集借助于第一压电层的压电效应产生的第一感测电信号，或者在声学换能器作为声学致动器操作时，向第一者施加第一控制电信号，向薄膜结构施加第一作用力；以及向第一中心电极和第一边缘电极中的第二者施加第一调节电信号，向薄膜结构施加第二作用力。
主权项：1.一种用于声学换能器的电学调控方法，所述声学换能器包括薄膜结构，所述薄膜结构包括底电极、设置于所述底电极上的第一压电层以及设置于所述第一压电层上的第一电极层，所述第一电极层包括第一中心电极和与所述第一中心电极电学隔离的第一边缘电极，所述第一中心电极位于所述薄膜结构的中心区域，所述第一边缘电极位于所述薄膜结构的除所述中心区域之外的外围区域，所述第一边缘电极包括相互间隔开的多个第一边缘电极块，所述方法包括：在所述声学换能器作为声学传感器操作时，通过所述第一中心电极和所述第一边缘电极中的第一者采集借助于所述第一压电层的压电效应产生的第一感测电信号，或者在所述声学换能器作为声学致动器操作时，向所述第一者施加第一控制电信号，以借助于所述第一者与所述底电极之间的电场和所述第一压电层的逆压电效应，向所述薄膜结构施加第一作用力；以及向所述第一中心电极和所述第一边缘电极中的第二者施加用于产生使所述薄膜结构发生形变的第二作用力的第一调节电信号，以借助于所述第二者与所述底电极之间的电场和所述第一压电层的逆压电效应，向所述薄膜结构施加所述第二作用力，其中，在所述声学换能器作为所述声学传感器操作时，所述第二作用力减少所述薄膜结构在外部声压下的形变，并且其中，在所述声学换能器作为所述声学致动器操作时，所述第二作用力减少所述薄膜结构在所述第一作用力下的形变。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联合微电子中心有限责任公司 用于声学换能器的电学调控方法和声学换能器及制造方法
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