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申请/专利权人：安徽碳索芯材科技有限公司
摘要：本实用新型公开了一种用于MPCVD长晶过程中等离子体及温度调控装置，包括基台和调谐装置以及密封件。所述的基台内嵌有可升降的调谐装置结构，基台下方通过水冷管道进行水循环带走热量；所述的调谐装置包括调谐柱、下方使用电机驱动的连杆。本实用新型在使用时通过电机控制调谐柱的高低，进而改变晶种托盘距离基台的远近来调整托盘上晶种的温度，以达到最优的生长条件，避免减少功率气压，使生长速率保持恒定；同时每个调谐柱可以单独调控，可以微调托盘的平衡度以满足晶种上方的等离子体均匀分布，使托盘内的晶种生长质量均匀。
主权项：1.一种用于MPCVD长晶过程中的等离子体及温度调控装置，其特征在于：包括基台（1），所述基台（1）中间放置晶种托盘（3），所述晶种托盘（3）下方通过调谐机构支撑，所述基台（1）下方带有冷却水循环水管（4），所述基台（1）内部具有冷却水槽，所述冷却水循环水管（4）与冷却水槽相连通，所述冷却水循环水管（4）包括冷却水进水管和出水管，所述基台（1）的下方设置有下腔体基板（7），所述冷却水循环水管（4）和下腔体基板（7）密封连接。
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权利要求：
百度查询： 安徽碳索芯材科技有限公司 一种用于MPCVD长晶过程中的等离子体及温度调控装置
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