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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所

摘要：本发明公开了一种基于GaAsHBT工艺的高线性高谐波抑制度差分压控振荡器，本发明直接应用于锁相环系统；在该压控振荡器的谐振腔内，采用两个反偏的变容管及并联小感值电感，在调谐电压0～10V范围内，实现了9.5GHz～10.5GHz内最大3％调谐线性度的调谐；通过使用巴伦将输出的差分信号转换成单端信号，提升了该振荡器的二次谐波、三次谐波抑制能力，实现了整个频带内30dBc的二次、三次谐波抑制，极大的提高了输出频谱的纯度；另外使用能够将电流复用的堆叠式结构，在降低整体功耗的同时，增加振荡器的驱动能力及带载能力；本发明提供的振荡器电路，具有较低的功耗和高的调谐线性度以及高的谐波抑制度。

主权项：1.一种基于GaAsHBT工艺的高线性高谐波抑制度差分压控振荡器，其特征在于，包括偏置模块、压控振荡器模块和巴伦模块；所述偏置模块与压控振荡器模块连接，所述压控振荡器模块的另一端与巴伦模块连接；所述压控振荡器模块包括第一变容管DV1、第二变容管DV2、第一HBT管Q1、第二HBT管Q2、第三HBT管Q3、第四HBT管Q4、第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、第四电感L4、第五电感L5、第六电感L6、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6和第三电阻R3；所述第一HBT管Q1的基级与第二HBT管Q2的基极连接，第一HBT管Q1的射极与第三HBT管Q3的集电极连接；第二HBT管Q2的射极与第四HBT管Q4的集电极连接；所述第三HBT管Q3的基级与第一电容C1的一端和第三电容C3的一端以及第一电感L1的另一端连接，第三HBT管Q3的射极与第一电容C1的另一端和第五电容C5的一端以及第五电感L5的一端连接；所述第四HBT管Q4的基级与第二电容C2的一端和第四电容C4的一端以及第二电感L2的另一端连接，第四HBT管Q4的射极与第二电容C2的另一端和第六电容C6的一端以及第六电感L6的一端连接；所述第三电容C3的另一端与第三电感L3的一端和第一变容管DV1的正极连接，第一变容管DV1的负极与第二变容管DV2的负极和调谐电压Vtune连接，第四电容C4的另一端与第四电感L4的一端和第二变容管DV2的正极连接，第三电感L3的另一端和第四电感L4的另一端都与地GND连接。所述第五电容C5的另一端和第六电容C6的另一端连接，第五电感L5的另一端和第三电阻R3的一端以及第六电感L6的另一端连接，第三电阻R3的另一端连接到地GND。

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