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申请/专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
摘要：本申请公开XY应力独立电阻器的跟踪温度补偿。集成电路500包括具有表面的半导体衬底570。横向电阻器布置在平行于衬底的表面的第一平面中。竖直参考电阻器包括层560，该层560布置在平行于衬底的表面并且比第一平面深的第二平面中。掺杂该层以促进电流在第二平面中流动。竖直参考电阻器还包括耦合在该层和衬底的表面之间的第一沟槽550A和第二沟槽550B。第一沟槽和第二沟槽布置在正交于第一平面和第二平面的竖直方向上，并且被掺杂以阻碍电流在竖直方向上流动。第一沟槽和第二沟槽的横截面绕竖直方向是双重旋转对称的，并且横向电阻器以及第一沟槽和第二沟槽具有相同的温度系数。
主权项：1.一种集成电路即IC，包括：具有表面的半导体衬底；以及参考电阻器，包括：具有第一导电性的第一区域，其形成在所述衬底中，其中所述第一区域在平行于所述表面的横向方向上延伸；具有第二导电性的第二区域，其形成在所述衬底中并耦合到所述第一区域，其中所述第二区域在垂直于所述表面的竖直方向上延伸，并且其中所述第二导电性与所述第一导电性不同并且被配置为向在所述竖直方向上的电流流动提供第一电阻且向在所述横向方向上的电流流动提供第二电阻，其中所述第二电阻小于所述第一电阻；具有所述第二导电性的第三区域，其形成在所述衬底中并耦合到所述第一区域，其中所述第三区域在所述竖直方向上延伸；第一接触结构，其耦合到所述第二区域和所述表面；以及第二接触结构，其耦合到所述第三区域和所述表面，其中所述参考电阻器绕所述竖直方向是双重旋转对称的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 德克萨斯仪器股份有限公司 X/Y应力独立电阻器的跟踪温度补偿
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