龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种全范德华接触的顶栅柔性铁电晶体管及其制备方法，包括以下步骤：S1、通过湿法转移法在柔性衬底上两侧制备源漏电极层；S2、通过湿法转移法在源漏电极上制备沟道层，所述沟道层覆盖在源漏电极和除源漏电极以外的柔性衬底；S3、在铜箔上制备二维介质层金属种子层铁电层结构，然后将二维介质层金属种子层铁电层结构整体转移至沟道层上；S4、在铁电层表面通过电子束蒸发法制备顶栅电极层。通过整体转移法可避免对沟道层和柔性衬底材料的损伤；通过沉积超薄金属种子层提供了一种解决铁电层难以成核生长以及双层结构无稳定化学键连接导致转移过程中铁电层出现破裂甚至脱落问题的方法。
主权项：1.一种全范德华接触的顶栅柔性铁电晶体管的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、通过湿法转移法在柔性衬底上两侧制备源漏电极层；S2、通过湿法转移法在源漏电极上制备沟道层，所述沟道层覆盖在源漏电极层和除源漏电极层以外的柔性衬底上；S3、在铜箔上制备二维介质层金属种子层铁电层结构，然后将二维介质层金属种子层铁电层结构整体转移至沟道层上；S4、在铁电层表面通过电子束蒸发法制备顶栅电极层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种全范德华接触的顶栅柔性铁电晶体管及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号