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申请/专利权人:浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
摘要:本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种背接触太阳能电池、电池组件和光伏系统,硅基底的背面至少一个第二区域包括沟槽区域和非沟槽区域,非沟槽区域处形成有至少一个第一内陷区域,第一掺杂层设置在第一区域以及非沟槽区域中除第一内陷区域以外的区域上,第二掺杂层设于第一内陷区域表面,第二掺杂层与第一掺杂层复合接触,第二掺杂层与第一掺杂层的极性相反。如此,非沟槽区域上的第一掺杂层和非沟槽区域下方的第二掺杂层形成交叉,从而形成一个容易识别的定位识别点,提升了定位识别效果和准确性。通过在非沟槽区域形成第一内陷区域并在第一内陷区域处引入第一掺杂层和第二掺杂层之间的复合接触,可增强电注入效果,提高修复效率和效果。
主权项:1.一种背接触太阳能电池,其特征在于,包括:硅基底,所述硅基底的背面包括交替设置的第一区域和第二区域,至少一个所述第二区域包括沟槽区域和非沟槽区域,所述非沟槽区域处形成有至少一个第一内陷区域;第一掺杂层,所述第一掺杂层设置在所述第一区域以及所述非沟槽区域中除所述第一内陷区域以外的区域上;和设于所述第一内陷区域表面的第二掺杂层,所述第二掺杂层与所述第一掺杂层复合接触,所述第二掺杂层与所述第一掺杂层的极性相反。
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