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申请/专利权人：伊利诺斯工具制品有限公司
摘要：提供了使用在例如石英基底上的化学浴沉积来合成均质、单晶体、导电、且窄带隙的PbSe纳米结构的方法和系统，并且这些方法和系统包括可调碘掺杂工艺以选择纳米结构的尺寸和或形状。单晶PbSe纳米结构可以在分离工艺例如蚀刻工艺之后暴露，并且可以在后处理步骤包括热处理期间调节跨多个PbSe纳米结构例如在石英基底上的碘的浓度和或分布。
主权项：1.一种形成单晶硒化铅PbSe纳米结构的方法，所述方法包括：制备基底；制备化学铅和硒前驱体；将所述前驱体经由化学浴沉积CBD工艺沉积至所述基底，从而得到包含PbSe合金的薄膜；将所述薄膜在高于100℃的温度下进行真空烘烤以移除残余溶剂；使所述薄膜暴露于含氧气体以诱导再结晶并且产生氧化物钝化层；将所述薄膜用包含预定浓度的碘的蒸气进行掺杂持续预定的时间段；将使用化学蚀刻剂或电化学蚀刻工艺的纳米结构分离技术应用至所述薄膜，以揭露在所述氧化物钝化层和多晶PbSe下方的单晶PbSe纳米结构；以及对具有揭露的单晶PbSe的所述薄膜进行后处理，以使碘重新分布至所述PbSe纳米结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 伊利诺斯工具制品有限公司 用于光子学应用的通过采用化学浴沉积（CBD）制造PBSE纳米结构
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