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申请/专利权人：拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
摘要：本发明提供了薄膜沉积方法、薄膜沉积设备及存储介质。所述薄膜沉积方法包括以下步骤：经由PMC模块控制薄膜沉积设备的至少一个执行机构，执行薄膜沉积工艺的至少一个第一流程。所述第一流程具有较长的第一响应时间；响应于切换所述薄膜沉积工艺的第二流程的控制指令，控制PLC模块执行过渡步骤，从所述PMC模块当前的第一控制循环中获取其涉及的各所述执行机构的状态参数，并将其写入所述PLC模块的寄存器中。所述第二流程具有较短的第二响应时间；以及响应于所述PLC模块后续的第二控制循环的触发信号，经由所述PLC模块调用所述寄存器中存储的状态参数，以控制至少一个所述执行机构继续执行所述薄膜沉积工艺的至少一个第二流程。
主权项：1.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：经由PMC模块控制薄膜沉积设备的至少一个执行机构，执行薄膜沉积工艺的至少一个第一流程，其中，所述第一流程具有较长的第一响应时间；响应于切换所述薄膜沉积工艺的第二流程的控制指令，控制PLC模块执行过渡步骤，从所述PMC模块当前的第一控制循环中获取其涉及的各所述执行机构的状态参数，并将其写入所述PLC模块的寄存器中，其中，所述第二流程具有较短的第二响应时间；以及响应于所述PLC模块后续的第二控制循环的触发信号，经由所述PLC模块调用所述寄存器中存储的状态参数，以控制至少一个所述执行机构继续执行所述薄膜沉积工艺的至少一个第二流程。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司 薄膜沉积方法、薄膜沉积设备及存储介质
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