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申请/专利权人:上海新昇半导体科技有限公司
摘要:本发明提供一种切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法,包括:收集基于同一目标切割厚度生产得到的多个晶片作为样本晶片,以计算切割后晶片表面需要被移除的总厚度值X1及计算研磨后晶片的厚度波动值X2;以及根据计算的所述总厚度值X1及所述厚度波动值X2之和计算实际研磨时晶片厚度的总移除量X。即,本发明直接通过公式计算获得切割后晶片在研磨时需要的具体厚度移除量,节省了验证成本,也减少了人力、物力的消耗。
主权项:1.一种切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法,其特征在于,包括:收集基于同一目标切割厚度生产得到的多个晶片作为样本晶片,以计算切割后晶片表面需要被移除的总厚度值X1及计算研磨后晶片的厚度波动值X2;以及,根据计算的所述总厚度值X1及所述厚度波动值X2之和计算实际研磨时晶片厚度的总移除量X。
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百度查询: 上海新昇半导体科技有限公司 一种切割后晶片研磨时厚度移除量计算方法
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