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申请/专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
摘要：本发明提供一种可改善成膜均匀性的化学气相沉积方法及设备，方法包括如下步骤：在化学气相沉积工艺第一阶段中，对射频信号的反射功率进行信号采样；在化学气相沉积工艺第二阶段中，根据反射功率的采样信号对射频信号的时间或功率进行补偿；对所述射频信号的时间补偿满足如下条件：；对所述射频信号的功率补偿满足如下条件：。本发明通过在化学气相沉积对反射功率进行采样，并对射频信号的时间或功率进行补偿，从而使化学气相沉积成膜厚度的片间均匀性得到显著改善，有助于提高生产良率。
主权项：1.一种可改善成膜均匀性的化学气相沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：在化学气相沉积工艺第一阶段中，对射频信号的反射功率进行信号采样；在化学气相沉积工艺第二阶段中，根据所述反射功率的采样信号对所述射频信号的时间或功率进行补偿；对所述射频信号的时间补偿满足如下条件： ；上式中，T为总工艺时间，T1为第一阶段工艺时间，TP为采样时间，为补偿工艺时间，a为采样间隔时间，Pt为采样时的反射功率，P为射频信号功率，CT为时间补偿系数；对所述射频信号的功率补偿满足如下条件： ；上式中，P1为第一阶段的射频信号功率，P2为第二阶段的射频信号功率，为补偿射频信号功率，T1为第一阶段工艺时间，TP为采样时间，a为采样间隔时间，Pt为采样时的反射功率，CP为功率补偿系数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 可改善成膜均匀性的化学气相沉积方法及设备
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