龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心
摘要：本发明公开了一种多层外延超结MOSFET及其制造方法，包括：漏极；位于漏极之上的衬底；位于衬底之上的外延层；位于衬底之上及外延层两侧且与外延层毗邻、借助沟道注入由形成的N个柱区；位于最上层的柱区之上、外延层之上的沟道外延层；贯穿沟道外延层并延伸至外延层之中的连通区；位于沟道外延层内部两侧的源区；位于沟道外延层内部两侧且与源区毗邻的体区；位于沟道外延层之上且两侧边缘位于源区之上的栅介质；位于栅介质之上的栅极；位于栅极之上且将栅极三面包围、栅介质两侧包围的隔离介质；位于隔离介质之上且将隔离介质三面包围的源极；本发明能够提升超结MOSFET的EMI特性和应用可靠性。
主权项：1.一种多层外延超结MOSFET，其特征在于，包括：漏极；位于漏极之上的衬底；位于衬底之上的外延层；位于衬底之上及外延层两侧、由下至上依次堆叠的N个柱区，N个柱区借助沟道注入工艺形成且宽度均相等，N个柱区均与外延层毗邻；位于最上层的柱区之上、外延层之上的沟道外延层；贯穿沟道外延层并延伸至外延层之中的连通区，延伸至外延层中的连通区与最上层的柱区毗邻，且连通区的下底面高于最上层柱区的下底面；位于沟道外延层内部两侧的源区；位于沟道外延层内部两侧且与源区毗邻的体区，源区位于靠近连通区的一侧，体区位于远离连通区的一侧；位于沟道外延层之上且两侧边缘位于源区之上的栅介质；位于栅介质之上的栅极；位于栅极之上且将栅极三面包围、栅介质两侧包围的隔离介质；位于隔离介质之上且将隔离介质三面包围的源极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京第三代半导体技术创新中心有限公司 中国电子科技集团公司第五十五研究所 南京第三代半导体技术创新中心 多层外延超结MOSFET及其制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号