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申请/专利权人：浙江艾微普科技有限公司
摘要：本发明公开了一种溅射刻蚀和沉积晶圆表面电荷的预防方法，包括如下步骤：S1、在溅射刻蚀或沉积后使晶圆继续留在腔室内；S2、然后打开射频电源，并将RF功率控制在5‑10w，同时将腔室内的气压调整至10‑30mT；S3、使S2中的RF功率和气压保持恒定维持一定时间；S4、将RF功率和气压均降至零，完成降低晶圆表面的电荷；该溅射刻蚀和沉积晶圆表面电荷的预防方法能够有效降低晶圆表面积聚的静电。
主权项：1.一种溅射刻蚀和沉积晶圆表面电荷的预防方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在溅射刻蚀或沉积后使晶圆继续留在腔室内；S2、然后打开射频电源，并将RF功率控制在5-10w，同时将腔室内的气压调整至10-30mT；S3、使S2中的RF功率和气压保持恒定维持一定时间；S4、将RF功率和气压均降至零，完成降低晶圆表面的电荷。
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